IMBF170R1K0M1是CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安裝器件(SMD)封裝,漏極和源極的爬電距離大約為7mm,這樣安全標(biāo)準(zhǔn)很容易滿足.

單獨(dú)驅(qū)動(dòng)器的源引腳有助于降低柵極回路寄生電感,以避免柵極激振效應(yīng).器件最適合用在反激拓?fù)?12V/0V柵源極電壓和大多數(shù)的反激控制器兼容,具有非常低的開(kāi)關(guān)損耗,完全可控制dV/dt以適宜EMI優(yōu)化. 

SiC MOSFET降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性,可直接從反激控制器直接驅(qū)動(dòng),有效提高了效率和降低冷卻成本,具有更高的工作頻率.主要用在能量產(chǎn)生如太陽(yáng)能逆變器,工業(yè)電源如工業(yè)UPS和工業(yè)開(kāi)關(guān)電源(SMPS)以及充電器等.

觸發(fā)字段（master Trigger Pulse）：由主機(jī)發(fā)送，根據(jù)模式的不同，長(zhǎng)度也不同。

同步字段（Sync frame）：由從機(jī)發(fā)送，表示從機(jī)開(kāi)始采集數(shù)據(jù)。

狀態(tài)字段（status Nibble）：表示從機(jī)當(dāng)前的狀態(tài)，當(dāng)觸發(fā)字段的模式為ID選擇或范圍選擇時(shí)，還表示從機(jī)的ID或當(dāng)前范圍值。

數(shù)據(jù)字段（DataNibble）：表示從機(jī)采集到的數(shù)據(jù)，根據(jù)從機(jī)的設(shè)置，數(shù)據(jù)字段的數(shù)量可以是3到6個(gè)不等。其數(shù)據(jù)可包含霍爾值與溫度值。

校驗(yàn)字段（CRC Nibble）：提供校驗(yàn)值，用于校驗(yàn)此幀是否正確。

激光雷達(dá)傳感器的工作原理與雷達(dá)類(lèi)似，唯一的區(qū)別是它們使用激光而不是無(wú)線電波。除了測(cè)量到道路上各種物體的距離外，激光雷達(dá)還允許創(chuàng)建檢測(cè)到的物體的三維圖像，并繪制周?chē)h(huán)境的地圖。

此外，激光雷達(dá)可以配置為在車(chē)輛周?chē)鷦?chuàng)建完整的360°地圖。這兩個(gè)優(yōu)勢(shì)也是谷歌、豐田等自動(dòng)駕駛汽車(chē)制造商選擇激光雷達(dá)的主要原因。

技術(shù)復(fù)雜且價(jià)格昂貴。為了提供精確的環(huán)境三維模型，激光雷達(dá)每秒計(jì)算數(shù)十萬(wàn)個(gè)點(diǎn)，并將它們轉(zhuǎn)換為動(dòng)作。這意味著與攝像頭和雷達(dá)相比，激光雷達(dá)需要大量的計(jì)算能力。這也使得激光雷達(dá)容易出現(xiàn)系統(tǒng)故障和軟件故障。成本高是激光雷達(dá)的另一短板，它比用于自動(dòng)駕駛車(chē)輛的雷達(dá)傳感器要昂貴得多。