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密集波分多路復用(DWDM)應用帶來災難性光學損害(COD)

發(fā)布時間:2022/9/21 23:02:34 訪問次數(shù):291

980nm波長泵激光二極管ML861E5S,它能輸出超高峰值功率1100mW,而不會對密集波分多路復用(DWDM)應用帶來災難性的光學損害(COD)。不需冷卻的ML8627S激光二極管在大城市區(qū)域網(wǎng)的應用中,在整個溫度范圍提供優(yōu)異的波長穩(wěn)定性。兩種二極管用作摻爾光纖放大器(EDFA)的泵源。

ML861E5S泵激光二極管在用硅離子注入所形成的量子井所形成的創(chuàng)新的窗口結(jié)構(gòu)中,能輸出1100mW峰值功率,其拐點輸出功率為750mW。

這種窗口結(jié)構(gòu)避免了COD損耗,是因為它不吸收輸出光功率。這種結(jié)構(gòu)也把激光束的縱橫比降低到小于2.5,使激光二極管和光纖的耦合更有效。ML861E5S泵激光二極管提供優(yōu)異的500mW工作輸出功率,反射率不到1%。

直流/直流轉(zhuǎn)換器的電源管理器件,它將一個"套裝"模擬驅(qū)動器和多個MOSFET集成在單個10.5 mm x 10.5 mm大小的無引線封裝內(nèi)。

該器件在1MHz下電流高達20安培,顯著提高了電源系統(tǒng)的功效,同時在計算機與電信平臺的主板占用空間減小了50%。NIS3001現(xiàn)為主要客戶提供樣品,并計劃于2003年初投入生產(chǎn)。

由于微處理器通常要求每個電源系統(tǒng)的電流達到15安培,而輸出電壓為1.5伏及以下,因此如何設計出在更低輸出電壓下提供更高電流的直流/直流轉(zhuǎn)換器,成了計算機主板設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。而傳統(tǒng)上采用低頻分立器件的方法不能充分滿足這些電源系統(tǒng)的要求。


單模分布式反饋(DFB)激光二極管ML9XX37,它是下一代40Gbps光網(wǎng)絡的功率強大的連續(xù)波光源,在0-50度C的溫度范圍內(nèi)把輸出功率至少提高了60mW。

當采用1-Gbps外部調(diào)制器時,該器件由于采用溫度控制的波長調(diào)諧,能把通信距離擴展至100km以上,因而降低了網(wǎng)絡系統(tǒng)的成本。

ML9XX37 DFB激光二極管的線寬非常小,不到1MHz,因此很適合用在DWDM中。該器件有40dB的邊模抑制比(SMSR),最大限度地減小脈沖信號的衰減。


980nm波長泵激光二極管ML861E5S,它能輸出超高峰值功率1100mW,而不會對密集波分多路復用(DWDM)應用帶來災難性的光學損害(COD)。不需冷卻的ML8627S激光二極管在大城市區(qū)域網(wǎng)的應用中,在整個溫度范圍提供優(yōu)異的波長穩(wěn)定性。兩種二極管用作摻爾光纖放大器(EDFA)的泵源。

ML861E5S泵激光二極管在用硅離子注入所形成的量子井所形成的創(chuàng)新的窗口結(jié)構(gòu)中,能輸出1100mW峰值功率,其拐點輸出功率為750mW。

這種窗口結(jié)構(gòu)避免了COD損耗,是因為它不吸收輸出光功率。這種結(jié)構(gòu)也把激光束的縱橫比降低到小于2.5,使激光二極管和光纖的耦合更有效。ML861E5S泵激光二極管提供優(yōu)異的500mW工作輸出功率,反射率不到1%。

直流/直流轉(zhuǎn)換器的電源管理器件,它將一個"套裝"模擬驅(qū)動器和多個MOSFET集成在單個10.5 mm x 10.5 mm大小的無引線封裝內(nèi)。

該器件在1MHz下電流高達20安培,顯著提高了電源系統(tǒng)的功效,同時在計算機與電信平臺的主板占用空間減小了50%。NIS3001現(xiàn)為主要客戶提供樣品,并計劃于2003年初投入生產(chǎn)。

由于微處理器通常要求每個電源系統(tǒng)的電流達到15安培,而輸出電壓為1.5伏及以下,因此如何設計出在更低輸出電壓下提供更高電流的直流/直流轉(zhuǎn)換器,成了計算機主板設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。而傳統(tǒng)上采用低頻分立器件的方法不能充分滿足這些電源系統(tǒng)的要求。


單模分布式反饋(DFB)激光二極管ML9XX37,它是下一代40Gbps光網(wǎng)絡的功率強大的連續(xù)波光源,在0-50度C的溫度范圍內(nèi)把輸出功率至少提高了60mW。

當采用1-Gbps外部調(diào)制器時,該器件由于采用溫度控制的波長調(diào)諧,能把通信距離擴展至100km以上,因而降低了網(wǎng)絡系統(tǒng)的成本。

ML9XX37 DFB激光二極管的線寬非常小,不到1MHz,因此很適合用在DWDM中。該器件有40dB的邊模抑制比(SMSR),最大限度地減小脈沖信號的衰減。


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