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內(nèi)部電流感應(yīng)高電壓SenseFET提供650V最小擊穿額定電壓

發(fā)布時(shí)間:2022/9/26 13:06:15 訪問(wèn)次數(shù):405

超低功耗的基于MCU的片上信號(hào)鏈(SCoC)MSP430F169,它有一個(gè)8通道200KSPS 的12位ADC,兩個(gè)12位DAC和一個(gè)可編程的直接存儲(chǔ)器存取控制器(DMA),非常適合用在功率,空間和成本都敏感的地方。

集成了在3通道DMA控制下的12位ADC和兩個(gè)12位DAC,設(shè)計(jì)者能完全實(shí)現(xiàn)低功耗應(yīng)用如從激光器泵和熱電冷卻器到遙控網(wǎng)絡(luò)可讀儀表的完整的閉環(huán)回路。

DMA由于不通過(guò)CPU能提供熟練的和可配置的數(shù)據(jù)傳輸,因此擴(kuò)展了基于MCU的信號(hào)處理能力。DMA傳輸觸發(fā)源,對(duì)CPU完全是透明的,允許內(nèi)部和外部硬件精確的傳輸控制。DMA消除了數(shù)據(jù)傳輸?shù)狡螪AC和其它外設(shè)的時(shí)延,16位RISC CPU不用花時(shí)間去處理數(shù)據(jù),而直接處理任務(wù)。片上DAC和DMA一起,和采用外部DAC和軟件的相比,可得到的模擬輸出頻率要提高10倍。

FS8S0765RC型電源開(kāi)關(guān)(FPS),這是用于CRT監(jiān)視器回掃電源應(yīng)用的高集成度離線電源開(kāi)關(guān)。

FS8S0765RC集成了一個(gè)具有抗雪崩能力的SenseFET(最小額定擊穿電壓為650V),帶有初級(jí)穩(wěn)壓功能的電流模式PWM IC。這個(gè)獨(dú)特組合能將外部組件減至最少,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低目標(biāo)應(yīng)用的成本。該器件在待機(jī)模式下(低于2W@265Vac)可進(jìn)入間歇工作模式,并通過(guò)減小開(kāi)關(guān)損耗,大幅度降低功耗。

FS8S0765RC電源開(kāi)關(guān)還擁有集成的固定頻率振蕩器、低電壓鎖住、優(yōu)化的前沿屏蔽功能和柵極開(kāi)/關(guān)驅(qū)動(dòng)電路,以及用于環(huán)路補(bǔ)償和故障保護(hù)電路的具有精確的溫度補(bǔ)償?shù)碾娏髟。其?nèi)部電流感應(yīng)高電壓SenseFET提供650V最小擊穿額定電壓。FS8S0765RC采用節(jié)省空間的TO-220-5L封裝。

雙N-溝共漏功率MOSFET NTLTD7900,用于手持電子如手機(jī),尋呼機(jī)和PDA的鋰離子電池管理。

NTLTD7900是9A不是20V器件,設(shè)計(jì)用在一元和兩元鋰離子電池盒的保護(hù)電路。它的封裝是3.3x3.3mm Micro-8LL無(wú)引腳封裝,和其它的TSSOP-8封裝的同類產(chǎn)品相比,降低它在板的占位面積達(dá)48%。

NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)為26耗歐姆,最小化功率消耗,所以延長(zhǎng)電池的壽命。它的熱阻降低到82度/W,而TSSOP-8為88度/W。所以,雖然Micro-8LL封裝更小,但是不影響性能。齊納二極管保護(hù)柵使靜電放電(ESD)保護(hù)超過(guò)工業(yè)上的要求。柵二極管集成到FET,電路中不用另接分立的背對(duì)背齊納二極管。


超低功耗的基于MCU的片上信號(hào)鏈(SCoC)MSP430F169,它有一個(gè)8通道200KSPS 的12位ADC,兩個(gè)12位DAC和一個(gè)可編程的直接存儲(chǔ)器存取控制器(DMA),非常適合用在功率,空間和成本都敏感的地方。

集成了在3通道DMA控制下的12位ADC和兩個(gè)12位DAC,設(shè)計(jì)者能完全實(shí)現(xiàn)低功耗應(yīng)用如從激光器泵和熱電冷卻器到遙控網(wǎng)絡(luò)可讀儀表的完整的閉環(huán)回路。

DMA由于不通過(guò)CPU能提供熟練的和可配置的數(shù)據(jù)傳輸,因此擴(kuò)展了基于MCU的信號(hào)處理能力。DMA傳輸觸發(fā)源,對(duì)CPU完全是透明的,允許內(nèi)部和外部硬件精確的傳輸控制。DMA消除了數(shù)據(jù)傳輸?shù)狡螪AC和其它外設(shè)的時(shí)延,16位RISC CPU不用花時(shí)間去處理數(shù)據(jù),而直接處理任務(wù)。片上DAC和DMA一起,和采用外部DAC和軟件的相比,可得到的模擬輸出頻率要提高10倍。

FS8S0765RC型電源開(kāi)關(guān)(FPS),這是用于CRT監(jiān)視器回掃電源應(yīng)用的高集成度離線電源開(kāi)關(guān)。

FS8S0765RC集成了一個(gè)具有抗雪崩能力的SenseFET(最小額定擊穿電壓為650V),帶有初級(jí)穩(wěn)壓功能的電流模式PWM IC。這個(gè)獨(dú)特組合能將外部組件減至最少,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低目標(biāo)應(yīng)用的成本。該器件在待機(jī)模式下(低于2W@265Vac)可進(jìn)入間歇工作模式,并通過(guò)減小開(kāi)關(guān)損耗,大幅度降低功耗。

FS8S0765RC電源開(kāi)關(guān)還擁有集成的固定頻率振蕩器、低電壓鎖住、優(yōu)化的前沿屏蔽功能和柵極開(kāi)/關(guān)驅(qū)動(dòng)電路,以及用于環(huán)路補(bǔ)償和故障保護(hù)電路的具有精確的溫度補(bǔ)償?shù)碾娏髟。其?nèi)部電流感應(yīng)高電壓SenseFET提供650V最小擊穿額定電壓。FS8S0765RC采用節(jié)省空間的TO-220-5L封裝。

雙N-溝共漏功率MOSFET NTLTD7900,用于手持電子如手機(jī),尋呼機(jī)和PDA的鋰離子電池管理。

NTLTD7900是9A不是20V器件,設(shè)計(jì)用在一元和兩元鋰離子電池盒的保護(hù)電路。它的封裝是3.3x3.3mm Micro-8LL無(wú)引腳封裝,和其它的TSSOP-8封裝的同類產(chǎn)品相比,降低它在板的占位面積達(dá)48%。

NTLTD7900在4.5V的RDS(ON)為26耗歐姆,最小化功率消耗,所以延長(zhǎng)電池的壽命。它的熱阻降低到82度/W,而TSSOP-8為88度/W。所以,雖然Micro-8LL封裝更小,但是不影響性能。齊納二極管保護(hù)柵使靜電放電(ESD)保護(hù)超過(guò)工業(yè)上的要求。柵二極管集成到FET,電路中不用另接分立的背對(duì)背齊納二極管。


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