浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » 模擬技術(shù)

分立式邏輯電路有助于大幅度提高移動(dòng)電話電池使用壽命

發(fā)布時(shí)間:2022/9/26 13:10:38 訪問(wèn)次數(shù):78

先進(jìn)輸入/輸出控制器,而最先推出的兩個(gè)型號(hào)分別為PC87372及PC87373。這是兩款可支持低腳數(shù)總線的SuperI/O控制器,兩款芯片都采用標(biāo)準(zhǔn)的128腳封裝。

由于這兩款芯片將所有必要的系統(tǒng)控制功能都結(jié)合到一顆芯片內(nèi),因此可滿足英特爾(Intel )Pentium4系統(tǒng)對(duì)輸入/輸出的要求。一直以來(lái),系統(tǒng)控制功能都是由分散于主機(jī)板不同地方的分立式邏輯電路負(fù)責(zé),而這類分立式電路都很昂貴而笨重。

只要采用SuperI/O系列控制器,便可節(jié)省50%成本,縮小15%電路板面積以及精簡(jiǎn)電路板布線設(shè)計(jì)。此外,PC87372及PC87373兩款芯片可與ICH4(輸入/輸出控制集線器)南橋芯片搭配一起,互相支持,成為一個(gè)可充分發(fā)揮系統(tǒng)性能的平臺(tái)解決方案。

無(wú)線存儲(chǔ)和處理技術(shù),這些技術(shù)將有助于大幅度提高移動(dòng)電話的電池使用壽命、性能和存儲(chǔ)能力。

此次發(fā)布的產(chǎn)品包括全球第一款基于0.13微米制造工藝的1.8伏多級(jí)單元(multi-level cell, MLC) 無(wú)線閃存芯片,以及一款利用創(chuàng)新的封裝技術(shù)所生產(chǎn)的全新應(yīng)用處理器。

這種新的封裝技術(shù)通過(guò)把處理器和內(nèi)存"堆疊"在一起,從而為專為無(wú)線設(shè)備設(shè)計(jì)的單一系統(tǒng)封裝提供了強(qiáng)大的計(jì)算能力和充裕的存儲(chǔ)空間,尤其是針對(duì)那些基于英特爾®個(gè)人互聯(lián)網(wǎng)用戶端架構(gòu)(英特爾PCA)的無(wú)線設(shè)備而言。

1.8伏StrataFlashò® 無(wú)線閃存28F128L18,包涵了面向無(wú)線設(shè)備的低功耗多級(jí)單元閃存技術(shù)。

繼電器FTR-P6,它的體積只有11.8x8.8x10.3mm,它能提供25A的電流,比以前的產(chǎn)品小33%。

它的指標(biāo)包括有額定浪涌電流35A,接點(diǎn)容量14V直流,800mW運(yùn)作,5cm處的聲音噪音為60dB,能工作10萬(wàn)次。

基于FS8S0765RC的設(shè)計(jì)不僅享有優(yōu)于離散式MOSFET/控制器或RCC開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器解決方案的性能,還具有占用更少電路板空間,及采用各種保護(hù)電路達(dá)到更高可靠性的優(yōu)勢(shì)。

FS8S0765RC的內(nèi)部特性包括過(guò)電壓、過(guò)負(fù)載、過(guò)電流和過(guò)熱關(guān)閉保護(hù)。為了消除開(kāi)關(guān)操作造成的屏幕噪聲,F(xiàn)S8S0765RC會(huì)根據(jù)外部同步信號(hào)控制其內(nèi)部MOSFET的開(kāi)通時(shí)間。


先進(jìn)輸入/輸出控制器,而最先推出的兩個(gè)型號(hào)分別為PC87372及PC87373。這是兩款可支持低腳數(shù)總線的SuperI/O控制器,兩款芯片都采用標(biāo)準(zhǔn)的128腳封裝。

由于這兩款芯片將所有必要的系統(tǒng)控制功能都結(jié)合到一顆芯片內(nèi),因此可滿足英特爾(Intel )Pentium4系統(tǒng)對(duì)輸入/輸出的要求。一直以來(lái),系統(tǒng)控制功能都是由分散于主機(jī)板不同地方的分立式邏輯電路負(fù)責(zé),而這類分立式電路都很昂貴而笨重。

只要采用SuperI/O系列控制器,便可節(jié)省50%成本,縮小15%電路板面積以及精簡(jiǎn)電路板布線設(shè)計(jì)。此外,PC87372及PC87373兩款芯片可與ICH4(輸入/輸出控制集線器)南橋芯片搭配一起,互相支持,成為一個(gè)可充分發(fā)揮系統(tǒng)性能的平臺(tái)解決方案。

無(wú)線存儲(chǔ)和處理技術(shù),這些技術(shù)將有助于大幅度提高移動(dòng)電話的電池使用壽命、性能和存儲(chǔ)能力。

此次發(fā)布的產(chǎn)品包括全球第一款基于0.13微米制造工藝的1.8伏多級(jí)單元(multi-level cell, MLC) 無(wú)線閃存芯片,以及一款利用創(chuàng)新的封裝技術(shù)所生產(chǎn)的全新應(yīng)用處理器。

這種新的封裝技術(shù)通過(guò)把處理器和內(nèi)存"堆疊"在一起,從而為專為無(wú)線設(shè)備設(shè)計(jì)的單一系統(tǒng)封裝提供了強(qiáng)大的計(jì)算能力和充裕的存儲(chǔ)空間,尤其是針對(duì)那些基于英特爾®個(gè)人互聯(lián)網(wǎng)用戶端架構(gòu)(英特爾PCA)的無(wú)線設(shè)備而言。

1.8伏StrataFlashò® 無(wú)線閃存28F128L18,包涵了面向無(wú)線設(shè)備的低功耗多級(jí)單元閃存技術(shù)。

繼電器FTR-P6,它的體積只有11.8x8.8x10.3mm,它能提供25A的電流,比以前的產(chǎn)品小33%。

它的指標(biāo)包括有額定浪涌電流35A,接點(diǎn)容量14V直流,800mW運(yùn)作,5cm處的聲音噪音為60dB,能工作10萬(wàn)次。

基于FS8S0765RC的設(shè)計(jì)不僅享有優(yōu)于離散式MOSFET/控制器或RCC開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器解決方案的性能,還具有占用更少電路板空間,及采用各種保護(hù)電路達(dá)到更高可靠性的優(yōu)勢(shì)。

FS8S0765RC的內(nèi)部特性包括過(guò)電壓、過(guò)負(fù)載、過(guò)電流和過(guò)熱關(guān)閉保護(hù)。為了消除開(kāi)關(guān)操作造成的屏幕噪聲,F(xiàn)S8S0765RC會(huì)根據(jù)外部同步信號(hào)控制其內(nèi)部MOSFET的開(kāi)通時(shí)間。


熱門點(diǎn)擊

 

推薦技術(shù)資料

泰克新發(fā)布的DSA830
   泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺(tái)儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析,DS... [詳細(xì)]
版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號(hào)-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式


 復(fù)制成功!