EPC2308 GaN FET具有超小的導(dǎo)通電阻(RDS(on)），典型值僅為4.9mOhm，而且QG、QGD和QOSS的參數(shù)非常小，可實現(xiàn)低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。它采用耐熱增強型QFN封裝，占板面積僅為3mmx5mm，為最高功率密度應(yīng)用提供極小型化的解決方案。該封裝提供可濕潤側(cè)面以簡化組裝和檢查，而且頂部外露和具超低熱阻，從而可以通過散熱器實現(xiàn)高效散熱和更低的操作溫度。

EPC2308與之前發(fā)布的100V、1.8 mOhm EPC2302和100V、3.8mOhm EPC2306的封裝兼容。

EPC2308結(jié)合了150V GaN FET的優(yōu)勢和易于組裝、更耐熱的QFN封裝。設(shè)計人員可以利用封裝GaN FET系列，實現(xiàn)用于電動汽車和無人機的更小、更輕并以電池供電的BLDC電機驅(qū)動器、更高效的80V輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器、更高效的USB充電器和電源供電等應(yīng)用。

EPC90148開發(fā)板采用最大器件電壓為150V、最大輸出電流為12A的半橋器件EPC2308 GaN FET，旨在簡化評估過程以加快產(chǎn)品推出市場時間。這款2”x2”（50.8mmx50.8 mm）開發(fā)板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計和包含了所有關(guān)鍵組件，便于評估。

西部數(shù)據(jù)的獨特優(yōu)勢在于其基于OptiNAND的ArmorCache™技術(shù)，該技術(shù)兼?zhèn)鋵懢彺娲蜷_的性能優(yōu)勢和寫緩存關(guān)閉的數(shù)據(jù)保護優(yōu)勢，用戶無需在兩者之間做出妥協(xié)。

可靠的西部數(shù)據(jù)WD Gold HDD系列擁從1TB到22TB容量的全套解決方案1，非常適用于嚴苛的存儲環(huán)境，可提供高達250萬小時的平均故障間隔時間（MTBF2）、抗震技術(shù)、以及低功耗的氦氣封裝（HelioSeal™）技術(shù)（12TB及以上容量版本）。

SSG6000A的相位噪聲低至-135dBc/Hz，且在各個載波頻率下，指標均達到國際領(lǐng)先水平；諧波及非諧波最低可達-60dBc，次諧波最低可達-70dBc，頻譜純凈度高，能夠很好地適配各種極端測試及本地振蕩器替代需求。

此外，由于汽車毫米波雷達和接收機通常都是設(shè)計為工作在極限情況下，所以在其功能和靈敏度測試中，要求測試信號具有高度可重復(fù)性，精確的幅度和頻率，并且Pulse寬度需要足夠小。在更復(fù)雜的測試中比如接收機的相參處理間隔(CPI）、距離分辨率等，還需要信號源能夠輸出復(fù)雜的脈沖串。

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