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功率開關(guān)器件和柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)800V電池過(guò)渡可靠和安全運(yùn)行

發(fā)布時(shí)間:2022/11/8 12:46:46 訪問次數(shù):122

集成10V柵極電源的TPSI3050-Q1隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器以及TPSI2140-Q1 1400V、50mA隔離式開關(guān)均使用獨(dú)特的方法,通過(guò)單一隔離柵集成了電源和信號(hào)隔離,從而提高可靠性,同時(shí)顯著減小解決方案尺寸和降低成本(與現(xiàn)有的機(jī)電繼電器和固態(tài)光繼電器相比)。

這些器件是全新固態(tài)繼電器產(chǎn)品系列中的第一款,該產(chǎn)品系列還將包括專為高壓工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成電路器件。高壓系統(tǒng)正變得越來(lái)越普遍,尤其是隨著電動(dòng)汽車的普及。

在行業(yè)向800V電池過(guò)渡時(shí)確保車輛可靠和安全運(yùn)行,同時(shí)減小解決方案尺寸和降低成本,通過(guò)在隔離技術(shù)中集成了更多功能,我們的新型固態(tài)繼電器使工程師能夠減小高壓電源的尺寸并降低其成本和復(fù)雜性,同時(shí)保障下一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)的安全性。

M1H芯片的最高結(jié)溫為175°C,具備更出色的過(guò)載能力,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,同時(shí)擴(kuò)展了系統(tǒng)安全工作區(qū)。與其前身M1芯片相比,M1H芯片實(shí)現(xiàn)了更低的內(nèi)部柵極電阻(RG),這有利于輕松優(yōu)化開關(guān)特性。M1H芯片保持了其動(dòng)態(tài)特性。

除了集成Easy模塊系列之外,CoolSiCTM MOSFET 1200V M1H產(chǎn)品組合還采用了TO247-3和TO247-4分立式封裝,導(dǎo)通電阻值極低,根據(jù)不同的型號(hào)分為7mΩ、14mΩ和20mΩ。這些新器件的最大柵源電壓低至-10V,改善了柵極電壓過(guò)沖和下沖,并且實(shí)現(xiàn)了良好的抗雪崩擊穿能力和短路耐受能力,可以輕松用于產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

IM323-L6G采用穩(wěn)健且?guī)б_的33x19mm2 DIP封裝,內(nèi)置NTC熱敏電阻,可為結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供高度的靈活性。它所采用的封裝具有更好的穩(wěn)健性,因而也帶來(lái)了更高的可靠性。該模塊還采用了最新的功率開關(guān)器件和柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù),能夠達(dá)到極其出色的性能。

模塊的低壓差分信號(hào)(LVDS)串行接口提供高信噪比(SNR)數(shù)字輸出,能夠在長(zhǎng)達(dá)3米的電纜上傳輸信號(hào)。

NSM301x系列芯片是一種非接觸式旋轉(zhuǎn)角度傳感器,可用于測(cè)量360°旋轉(zhuǎn)角度,在-40°C 至125°C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)提供精確測(cè)量角度,能在最廣泛溫度和磁場(chǎng)變化范圍內(nèi)保持高精度和穩(wěn)定性。

NSM301x系列芯片具有自動(dòng)增益(AGC)調(diào)整模塊,可對(duì)信號(hào)路徑進(jìn)行增益調(diào)節(jié),以適應(yīng)不同的機(jī)械約束和磁場(chǎng)。這種方法在系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面提供了最大的靈活性,可以直接集成到現(xiàn)有的體系結(jié)構(gòu)中,提供較高的準(zhǔn)確度。

來(lái)源:eepw.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考

集成10V柵極電源的TPSI3050-Q1隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器以及TPSI2140-Q1 1400V、50mA隔離式開關(guān)均使用獨(dú)特的方法,通過(guò)單一隔離柵集成了電源和信號(hào)隔離,從而提高可靠性,同時(shí)顯著減小解決方案尺寸和降低成本(與現(xiàn)有的機(jī)電繼電器和固態(tài)光繼電器相比)。

這些器件是全新固態(tài)繼電器產(chǎn)品系列中的第一款,該產(chǎn)品系列還將包括專為高壓工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成電路器件。高壓系統(tǒng)正變得越來(lái)越普遍,尤其是隨著電動(dòng)汽車的普及。

在行業(yè)向800V電池過(guò)渡時(shí)確保車輛可靠和安全運(yùn)行,同時(shí)減小解決方案尺寸和降低成本,通過(guò)在隔離技術(shù)中集成了更多功能,我們的新型固態(tài)繼電器使工程師能夠減小高壓電源的尺寸并降低其成本和復(fù)雜性,同時(shí)保障下一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)的安全性。

M1H芯片的最高結(jié)溫為175°C,具備更出色的過(guò)載能力,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,同時(shí)擴(kuò)展了系統(tǒng)安全工作區(qū)。與其前身M1芯片相比,M1H芯片實(shí)現(xiàn)了更低的內(nèi)部柵極電阻(RG),這有利于輕松優(yōu)化開關(guān)特性。M1H芯片保持了其動(dòng)態(tài)特性。

除了集成Easy模塊系列之外,CoolSiCTM MOSFET 1200V M1H產(chǎn)品組合還采用了TO247-3和TO247-4分立式封裝,導(dǎo)通電阻值極低,根據(jù)不同的型號(hào)分為7mΩ、14mΩ和20mΩ。這些新器件的最大柵源電壓低至-10V,改善了柵極電壓過(guò)沖和下沖,并且實(shí)現(xiàn)了良好的抗雪崩擊穿能力和短路耐受能力,可以輕松用于產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

IM323-L6G采用穩(wěn)健且?guī)б_的33x19mm2 DIP封裝,內(nèi)置NTC熱敏電阻,可為結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供高度的靈活性。它所采用的封裝具有更好的穩(wěn)健性,因而也帶來(lái)了更高的可靠性。該模塊還采用了最新的功率開關(guān)器件和柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù),能夠達(dá)到極其出色的性能。

模塊的低壓差分信號(hào)(LVDS)串行接口提供高信噪比(SNR)數(shù)字輸出,能夠在長(zhǎng)達(dá)3米的電纜上傳輸信號(hào)。

NSM301x系列芯片是一種非接觸式旋轉(zhuǎn)角度傳感器,可用于測(cè)量360°旋轉(zhuǎn)角度,在-40°C 至125°C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)提供精確測(cè)量角度,能在最廣泛溫度和磁場(chǎng)變化范圍內(nèi)保持高精度和穩(wěn)定性。

NSM301x系列芯片具有自動(dòng)增益(AGC)調(diào)整模塊,可對(duì)信號(hào)路徑進(jìn)行增益調(diào)節(jié),以適應(yīng)不同的機(jī)械約束和磁場(chǎng)。這種方法在系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面提供了最大的靈活性,可以直接集成到現(xiàn)有的體系結(jié)構(gòu)中,提供較高的準(zhǔn)確度。

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