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傳感器芯片可抵御來自X/Y/Z方向上的雜散磁場干擾

發(fā)布時(shí)間:2022/11/8 13:01:09 訪問次數(shù):136

NSM301x系列霍爾效應(yīng)角度傳感器提供14位線性DAC模擬量輸出/12位分辨率PWM輸出,14位SPI角度輸出。可在全溫度范圍內(nèi)提供精度±1°的角度輸出,同時(shí)該系列支持四段分段擬合,四段校準(zhǔn)后精度高達(dá)到±0.2°。

NSM301x系列霍爾效應(yīng)角度傳感器有四個(gè)集成的平面霍爾元件,只對(duì)Z軸方向的磁場變化敏感,對(duì)X和Y軸的雜散磁場變化免疫。

通過差分放大兩對(duì)對(duì)立的霍爾元件,四個(gè)霍爾元件產(chǎn)生一個(gè)正弦信號(hào)和一個(gè)余弦信號(hào),用于后續(xù)CORDIC運(yùn)算。因?yàn)椴罘州斎氲拇嬖,Z軸方向上均勻磁場干擾同樣被抵消掉。因此,該系列傳感器芯片可抵御來自X/Y/Z方向上的雜散磁場干擾。

以前在D2PAK-7L封裝中引入互連技術(shù),現(xiàn)在也可在TO封裝中實(shí)現(xiàn)。較之標(biāo)準(zhǔn)互連技術(shù),其散熱能力提高了30%以上。

這樣的散熱性能提升帶來了極大的裨益,可以將輸出功率提高多達(dá)15%。

另外,它還能提高開關(guān)頻率,進(jìn)一步減少諸如電動(dòng)汽車(EV)充電、儲(chǔ)能或光伏系統(tǒng)等應(yīng)用中所需的無源器件,從而提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。

.XT互連技術(shù)可降低SiC MOSFET結(jié)溫,而不改變系統(tǒng)運(yùn)行條件,因此大大延長了系統(tǒng)的使用壽命,提高了功率循環(huán)能力。這也是伺服驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備的關(guān)鍵要求。

1200V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進(jìn)一步釋放SiC技術(shù)的應(yīng)用潛力,在全球范圍內(nèi)推動(dòng)清潔能源的開發(fā)利用,并提高能源效率。

新型固態(tài)繼電器可以在幾微秒內(nèi)通過單個(gè)隔離柵斷開和連接負(fù)載(而機(jī)電繼電器則需要數(shù)毫秒),從而實(shí)現(xiàn)高壓汽車系統(tǒng)的更安全運(yùn)行。

TPSI3050-Q1提供高達(dá)5kVRMS的增強(qiáng)型隔離,其工作壽命也比機(jī)電繼電器高10倍,機(jī)電繼電器的性能也會(huì)隨著時(shí)間的推移而退化。此外,TPSI2140-Q1提供高達(dá)3.75kVRMS的基礎(chǔ)型隔離,使其能夠?qū)崿F(xiàn)比固態(tài)光繼電器高四倍以上的時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿可靠性。

來源:eepw.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考

NSM301x系列霍爾效應(yīng)角度傳感器提供14位線性DAC模擬量輸出/12位分辨率PWM輸出,14位SPI角度輸出。可在全溫度范圍內(nèi)提供精度±1°的角度輸出,同時(shí)該系列支持四段分段擬合,四段校準(zhǔn)后精度高達(dá)到±0.2°。

NSM301x系列霍爾效應(yīng)角度傳感器有四個(gè)集成的平面霍爾元件,只對(duì)Z軸方向的磁場變化敏感,對(duì)X和Y軸的雜散磁場變化免疫。

通過差分放大兩對(duì)對(duì)立的霍爾元件,四個(gè)霍爾元件產(chǎn)生一個(gè)正弦信號(hào)和一個(gè)余弦信號(hào),用于后續(xù)CORDIC運(yùn)算。因?yàn)椴罘州斎氲拇嬖,Z軸方向上均勻磁場干擾同樣被抵消掉。因此,該系列傳感器芯片可抵御來自X/Y/Z方向上的雜散磁場干擾。

以前在D2PAK-7L封裝中引入互連技術(shù),現(xiàn)在也可在TO封裝中實(shí)現(xiàn)。較之標(biāo)準(zhǔn)互連技術(shù),其散熱能力提高了30%以上。

這樣的散熱性能提升帶來了極大的裨益,可以將輸出功率提高多達(dá)15%。

另外,它還能提高開關(guān)頻率,進(jìn)一步減少諸如電動(dòng)汽車(EV)充電、儲(chǔ)能或光伏系統(tǒng)等應(yīng)用中所需的無源器件,從而提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。

.XT互連技術(shù)可降低SiC MOSFET結(jié)溫,而不改變系統(tǒng)運(yùn)行條件,因此大大延長了系統(tǒng)的使用壽命,提高了功率循環(huán)能力。這也是伺服驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備的關(guān)鍵要求。

1200V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進(jìn)一步釋放SiC技術(shù)的應(yīng)用潛力,在全球范圍內(nèi)推動(dòng)清潔能源的開發(fā)利用,并提高能源效率。

新型固態(tài)繼電器可以在幾微秒內(nèi)通過單個(gè)隔離柵斷開和連接負(fù)載(而機(jī)電繼電器則需要數(shù)毫秒),從而實(shí)現(xiàn)高壓汽車系統(tǒng)的更安全運(yùn)行。

TPSI3050-Q1提供高達(dá)5kVRMS的增強(qiáng)型隔離,其工作壽命也比機(jī)電繼電器高10倍,機(jī)電繼電器的性能也會(huì)隨著時(shí)間的推移而退化。此外,TPSI2140-Q1提供高達(dá)3.75kVRMS的基礎(chǔ)型隔離,使其能夠?qū)崿F(xiàn)比固態(tài)光繼電器高四倍以上的時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿可靠性。

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