傳感器芯片可抵御來自X/Y/Z方向上的雜散磁場干擾
發(fā)布時(shí)間:2022/11/8 13:01:09 訪問次數(shù):136
NSM301x系列霍爾效應(yīng)角度傳感器提供14位線性DAC模擬量輸出/12位分辨率PWM輸出,14位SPI角度輸出。可在全溫度范圍內(nèi)提供精度±1°的角度輸出,同時(shí)該系列支持四段分段擬合,四段校準(zhǔn)后精度高達(dá)到±0.2°。
NSM301x系列霍爾效應(yīng)角度傳感器有四個(gè)集成的平面霍爾元件,只對(duì)Z軸方向的磁場變化敏感,對(duì)X和Y軸的雜散磁場變化免疫。
通過差分放大兩對(duì)對(duì)立的霍爾元件,四個(gè)霍爾元件產(chǎn)生一個(gè)正弦信號(hào)和一個(gè)余弦信號(hào),用于后續(xù)CORDIC運(yùn)算。因?yàn)椴罘州斎氲拇嬖,Z軸方向上均勻磁場干擾同樣被抵消掉。因此,該系列傳感器芯片可抵御來自X/Y/Z方向上的雜散磁場干擾。
這樣的散熱性能提升帶來了極大的裨益,可以將輸出功率提高多達(dá)15%。
另外,它還能提高開關(guān)頻率,進(jìn)一步減少諸如電動(dòng)汽車(EV)充電、儲(chǔ)能或光伏系統(tǒng)等應(yīng)用中所需的無源器件,從而提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。
.XT互連技術(shù)可降低SiC MOSFET結(jié)溫,而不改變系統(tǒng)運(yùn)行條件,因此大大延長了系統(tǒng)的使用壽命,提高了功率循環(huán)能力。這也是伺服驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備的關(guān)鍵要求。
1200V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進(jìn)一步釋放SiC技術(shù)的應(yīng)用潛力,在全球范圍內(nèi)推動(dòng)清潔能源的開發(fā)利用,并提高能源效率。
新型固態(tài)繼電器可以在幾微秒內(nèi)通過單個(gè)隔離柵斷開和連接負(fù)載(而機(jī)電繼電器則需要數(shù)毫秒),從而實(shí)現(xiàn)高壓汽車系統(tǒng)的更安全運(yùn)行。
TPSI3050-Q1提供高達(dá)5kVRMS的增強(qiáng)型隔離,其工作壽命也比機(jī)電繼電器高10倍,機(jī)電繼電器的性能也會(huì)隨著時(shí)間的推移而退化。此外,TPSI2140-Q1提供高達(dá)3.75kVRMS的基礎(chǔ)型隔離,使其能夠?qū)崿F(xiàn)比固態(tài)光繼電器高四倍以上的時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿可靠性。
來源:eepw.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
NSM301x系列霍爾效應(yīng)角度傳感器提供14位線性DAC模擬量輸出/12位分辨率PWM輸出,14位SPI角度輸出。可在全溫度范圍內(nèi)提供精度±1°的角度輸出,同時(shí)該系列支持四段分段擬合,四段校準(zhǔn)后精度高達(dá)到±0.2°。
NSM301x系列霍爾效應(yīng)角度傳感器有四個(gè)集成的平面霍爾元件,只對(duì)Z軸方向的磁場變化敏感,對(duì)X和Y軸的雜散磁場變化免疫。
通過差分放大兩對(duì)對(duì)立的霍爾元件,四個(gè)霍爾元件產(chǎn)生一個(gè)正弦信號(hào)和一個(gè)余弦信號(hào),用于后續(xù)CORDIC運(yùn)算。因?yàn)椴罘州斎氲拇嬖,Z軸方向上均勻磁場干擾同樣被抵消掉。因此,該系列傳感器芯片可抵御來自X/Y/Z方向上的雜散磁場干擾。
這樣的散熱性能提升帶來了極大的裨益,可以將輸出功率提高多達(dá)15%。
另外,它還能提高開關(guān)頻率,進(jìn)一步減少諸如電動(dòng)汽車(EV)充電、儲(chǔ)能或光伏系統(tǒng)等應(yīng)用中所需的無源器件,從而提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。
.XT互連技術(shù)可降低SiC MOSFET結(jié)溫,而不改變系統(tǒng)運(yùn)行條件,因此大大延長了系統(tǒng)的使用壽命,提高了功率循環(huán)能力。這也是伺服驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備的關(guān)鍵要求。
1200V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片將進(jìn)一步釋放SiC技術(shù)的應(yīng)用潛力,在全球范圍內(nèi)推動(dòng)清潔能源的開發(fā)利用,并提高能源效率。
新型固態(tài)繼電器可以在幾微秒內(nèi)通過單個(gè)隔離柵斷開和連接負(fù)載(而機(jī)電繼電器則需要數(shù)毫秒),從而實(shí)現(xiàn)高壓汽車系統(tǒng)的更安全運(yùn)行。
TPSI3050-Q1提供高達(dá)5kVRMS的增強(qiáng)型隔離,其工作壽命也比機(jī)電繼電器高10倍,機(jī)電繼電器的性能也會(huì)隨著時(shí)間的推移而退化。此外,TPSI2140-Q1提供高達(dá)3.75kVRMS的基礎(chǔ)型隔離,使其能夠?qū)崿F(xiàn)比固態(tài)光繼電器高四倍以上的時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿可靠性。
來源:eepw.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。圖片供參考
熱門點(diǎn)擊
- 籠型轉(zhuǎn)子上的金屬條會(huì)切割磁感線而產(chǎn)生感應(yīng)電流
- 集電結(jié)和發(fā)射結(jié)的正向電阻相等則該NPN型三極
- 按鈕自身的常閉觸點(diǎn)來聯(lián)鎖接觸器的主觸點(diǎn)使電動(dòng)
- 單刀雙擲開關(guān)(SP2T)以及可旁路低噪聲放大
- 電容引腳出現(xiàn)松脫或銹斷現(xiàn)象微調(diào)電容器無旋轉(zhuǎn)柄
- 接觸器KM的主觸點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)單方向旋轉(zhuǎn)的啟動(dòng)停止
- 正轉(zhuǎn)交流接觸器和反轉(zhuǎn)交流接觸器線圈不能同時(shí)帶
- 交流電流表和交流電壓表測量的數(shù)值用數(shù)字印在電
- 整流器的三電平開關(guān)它們只能看到一半的總線電壓
- 整流電路和穩(wěn)壓電路利用二極管向擊穿時(shí)兩端壓不
推薦技術(shù)資料
- 電動(dòng)吸錫烙鐵
- 用12V/2A的電源為電磁閥和泵供電,F(xiàn)QPF9N50... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究