新的15mΩ和60mΩ 650V AEC-Q101合格器件采用第三代Cree C3M MOSFET技術(shù)，提供比以前的解決方案更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻。與硅相比，Wolfspeed的新型650V碳化硅MOSFET可降低75%的開關(guān)損耗和50%的傳導(dǎo)損耗，從而使功率密度可能增加300%。更高的效率和更快的開關(guān)速度使客戶能夠設(shè)計出具有更高性能的更小解決方案。

電源設(shè)計人員在使用碳化硅時可以在其產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)最高效率，使他們能夠從相同的外形尺寸中獲得更多的功率，從更小的外形尺寸中獲得相同的功率，或者最大化功率密度以減小尺寸、重量或成本。碳化硅襯底的特性是絕對關(guān)鍵的。

IC在現(xiàn)場使用時不能承受更高的瞬態(tài)事件。為防止最終客戶損壞IC，產(chǎn)品設(shè)計人員使用基于IEC 61000-4-2(ESD)的系統(tǒng)級ESD測試方法在產(chǎn)品發(fā)布前對其進(jìn)行驗(yàn)證。ESD空氣放電和ESD接觸放電是常見的ESD測試方法。此外，設(shè)計人員還可根據(jù)IEC 61000-4-5進(jìn)行EOS測試，以模擬電源開關(guān)浪涌或雷電偶。

換句話說，產(chǎn)品仍然會經(jīng)過嚴(yán)格的測試，但芯片的魯棒性比以前弱了。在器件中添加有效的外部鉗位元件成為一項(xiàng)基本而重要的設(shè)計。

SiC二極管的零反向恢復(fù)電流使SiC能夠替代Si快速二極管。由于LLC的軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，一個600V的硅二極管在輸出側(cè)就足夠了。在這種情況下，Vf比開關(guān)性能更重要。

在產(chǎn)品工程階段進(jìn)行了IEC61000-4-2的靜電保護(hù)測試和IEC61000-4-5的浪涌測試，引入了苛刻的浪涌條件進(jìn)行模擬，以確保產(chǎn)品能夠很好地應(yīng)對可以在用戶使用產(chǎn)品的環(huán)境中扔給它。

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