GaN的性能和可靠性與通道上的溫度和焦耳熱效應(yīng)有關(guān)。集成到GaN中的SiC和金剛石等襯底可以改善熱管理。這使得降低設(shè)備的工作溫度成為可能。

SiC上的GaN是一種非常適用于甚高頻(RF)應(yīng)用的解決方案，可用于未來可與5G配合使用的設(shè)備。GaN on Si在緊湊型USB PD充電器等低壓(<200V)產(chǎn)品中保持其地位。在600V和650V之間的范圍內(nèi)，這兩種技術(shù)在低于2kW的應(yīng)用中工作得非常好。

由于其在開關(guān)損耗方面的出色性能，GaN可以成為需要兆赫(MHz)范圍內(nèi)開關(guān)頻率的正確解決方案。通過增加開關(guān)頻率和電流值，弱電阻(比SiC大2-3倍)可以在器件和系統(tǒng)成本方面限制高溫應(yīng)用。

我們?nèi)粘？吹降氖謾C(jī)、智能穿戴、無線耳機(jī)、電子煙甚至AR護(hù)目鏡都被大家津津樂道，小尺寸0201封裝是電子PCB設(shè)計(jì)的主流。更重要的是，具有更高集成密度的系統(tǒng)級封裝(SiP)并非聞所未聞。

電池電源軌的ESD/浪涌保護(hù)需求,每次我們打開電子產(chǎn)品的電源時(shí),電池電源軌上經(jīng)常會出現(xiàn)電源尖峰。

或者，如果用戶正在更換電池，電子產(chǎn)品的電池電源導(dǎo)軌將面臨靜電干擾或損壞的風(fēng)險(xiǎn)。這就是為什么產(chǎn)品研發(fā)工程師在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)不斷努力提供適當(dāng)?shù)睦擞勘Ｗo(hù)(ESD、浪涌尖峰)以提高產(chǎn)品可靠性。

冷卻對于電路的性能和使用壽命至關(guān)重要。如今，雙面冷卻電源模塊可提供卓越的冷卻性能，以提高對熱循環(huán)的魯棒性。半導(dǎo)體管芯夾在傳統(tǒng)的直接鍵合銅(DBC)基板之間，基板直接冷卻，而不是通過傳統(tǒng)的散熱器、散熱器組件。

理想的散熱片材料必須具有高導(dǎo)熱性、低熱膨脹系數(shù)、低密度和低成本。使用的材料是銅和鋁：前者用于需要最大熱傳遞效率的情況，成本更高，比重更大;后者適用于要求不高的操作條件。

然而，近來，正在研究一門關(guān)于熱材料的新科學(xué)，在不久的將來，技術(shù)將有助于生產(chǎn)性能更好、成本更低的新材料。

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