兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護(hù)二極管件,適用于高速數(shù)據(jù)線中重定時(shí)器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護(hù)USB4 (Thunderbolt)接口而設(shè)計(jì)，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。

這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia成熟TrEOS技術(shù),集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢于一身。

這有助于補(bǔ)償保護(hù)器件和重定時(shí)器之間減少的電感，從而提高整體系統(tǒng)級ESD穩(wěn)健性。

為達(dá)到ESD的預(yù)算損耗建議值，這兩款器件均可提供超低插入損耗（10GHz下為-0.29 dB）和回波損耗（10GHz下為-20.6dB）。與其他解決方案不同的是，電容不會隨工作電壓增加，可提供完整的RF性能直到反向截止電壓。

測試外觀檢查應(yīng)無破損缺件銹蝕現(xiàn)象,用手將磁鐵按下應(yīng)無卡阻且動作靈活,這時(shí)主觸頭應(yīng)閉合,其輔助觸頭應(yīng)相應(yīng)動作,常開閉合,常閉打開�？捎萌f用表歐姆擋測量。

線圈上的文字標(biāo)注查出其工作電壓值(一般為380V或220Ⅴ,也有127Ⅴ或110Ⅴ的以及36Ⅴ,24V不等),這里要特別仔細(xì)觀察,千萬不能弄錯(cuò)。

藍(lán)色CD段各種脈沖寬度下的SOA，均是單脈沖安全工作區(qū)，非連續(xù)工作情況下的工作區(qū)，所以，必須參考右側(cè)的IGBT瞬態(tài)熱阻曲線，在指定VCE條件下允許的電流IC的幅值和脈寬。

DE段最容易理解，它規(guī)定了IGBT的集射極CE擊穿電壓，需要注意的是，IGBT的CE擊穿電壓是和結(jié)溫正相關(guān)的，結(jié)溫越低，CE擊穿電壓也越低。