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LED開路和短路以及可能導(dǎo)致LED故障的輸出泄漏情況方法

發(fā)布時間:2022/11/17 13:10:37 訪問次數(shù):1036

LED顯示系統(tǒng)是遠程控制的,因此操作員很難檢測到任何故障。因為人眼對持續(xù)打開或關(guān)閉的故障燈很敏感,所以即使是幾個燈的故障也會降低觀看者的視頻體驗質(zhì)量。因此,許多顯示器實現(xiàn)了檢測LED開路和短路以及可能導(dǎo)致LED故障的輸出泄漏情況的方法。

LED開路檢測器(LOD)功能可監(jiān)控LED燈的開路故障。正常情況下,驅(qū)動IC的恒流輸出端保持在恒流電路所需的余量電壓。當(dāng)恒流電路的LED發(fā)生故障并變?yōu)殚_路時,恒流電路將其輸出端驅(qū)動到幾乎為零的電壓。LOD功能檢測到這些明顯的電壓變化并生成錯誤信號。

LED短路檢測(LSD)監(jiān)控LED燈的狀況,指示LED和/或其驅(qū)動器與其陽極的電源電壓短路。當(dāng)LED在短路模式下失效時,其輸出端子從其正常偏置狀態(tài)恢復(fù)到施加到陽極的全電壓。LSD功能區(qū)分此電壓差并生成警報信號。

隨著PWM控制LED IC越來越多地控制更大、更高質(zhì)量的顯示器,其中PWM操作周期的長度變得更長,黑帶成為一個更嚴重的問題。

例如,最新的16位PWM控制使用25MHz參考時鐘需要2.6ms=216位/25MHz,即381Hz的幀刷新率。這里,總共216個時鐘周期的128灰度代碼產(chǎn)生5.1us (=128/25MHz)的開啟時間,以及2.6ms減去5.1us的關(guān)閉時間。攝像機在這2.6毫秒期間捕獲處于關(guān)閉狀態(tài)的LED燈。

在上面的示例中,如果將128個ON周期的時鐘分為16個周期,每個周期有8個時鐘,則產(chǎn)生6kHz (=381Hzx16)的有效FRR。在6kHz時,刷新率足夠高,可以避免大多數(shù)相機出現(xiàn)黑帶。

為了提高硅襯底上GaN的晶體質(zhì)量,晶能光電不斷開發(fā)創(chuàng)新的GaN外延技術(shù),如通過采用異質(zhì)外延的應(yīng)力積累和釋放模型優(yōu)化生長,利用晶格應(yīng)力誘導(dǎo)位錯反應(yīng),在總外延層厚度5微米條件下,可以穩(wěn)定量產(chǎn)位錯密度~1.5E8/c㎡的硅襯底GaN外延片.

通過采用薄buffer技術(shù)獲得總厚度超過8微米的低翹曲8英寸硅襯底GaN外延層,為制備高性能的硅襯底GaN光電器件提供了關(guān)鍵的大尺寸材料平臺。

不斷開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅襯底LED器件技術(shù)。主要采用硅垂直結(jié)構(gòu)芯片工藝,通過Ag鏡、光刻、刻蝕、ITO、去硅、bonding等特色工藝獲得高良率,高光效的垂直器件。

來源:eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

LED顯示系統(tǒng)是遠程控制的,因此操作員很難檢測到任何故障。因為人眼對持續(xù)打開或關(guān)閉的故障燈很敏感,所以即使是幾個燈的故障也會降低觀看者的視頻體驗質(zhì)量。因此,許多顯示器實現(xiàn)了檢測LED開路和短路以及可能導(dǎo)致LED故障的輸出泄漏情況的方法。

LED開路檢測器(LOD)功能可監(jiān)控LED燈的開路故障。正常情況下,驅(qū)動IC的恒流輸出端保持在恒流電路所需的余量電壓。當(dāng)恒流電路的LED發(fā)生故障并變?yōu)殚_路時,恒流電路將其輸出端驅(qū)動到幾乎為零的電壓。LOD功能檢測到這些明顯的電壓變化并生成錯誤信號。

LED短路檢測(LSD)監(jiān)控LED燈的狀況,指示LED和/或其驅(qū)動器與其陽極的電源電壓短路。當(dāng)LED在短路模式下失效時,其輸出端子從其正常偏置狀態(tài)恢復(fù)到施加到陽極的全電壓。LSD功能區(qū)分此電壓差并生成警報信號。

隨著PWM控制LED IC越來越多地控制更大、更高質(zhì)量的顯示器,其中PWM操作周期的長度變得更長,黑帶成為一個更嚴重的問題。

例如,最新的16位PWM控制使用25MHz參考時鐘需要2.6ms=216位/25MHz,即381Hz的幀刷新率。這里,總共216個時鐘周期的128灰度代碼產(chǎn)生5.1us (=128/25MHz)的開啟時間,以及2.6ms減去5.1us的關(guān)閉時間。攝像機在這2.6毫秒期間捕獲處于關(guān)閉狀態(tài)的LED燈。

在上面的示例中,如果將128個ON周期的時鐘分為16個周期,每個周期有8個時鐘,則產(chǎn)生6kHz (=381Hzx16)的有效FRR。在6kHz時,刷新率足夠高,可以避免大多數(shù)相機出現(xiàn)黑帶。

為了提高硅襯底上GaN的晶體質(zhì)量,晶能光電不斷開發(fā)創(chuàng)新的GaN外延技術(shù),如通過采用異質(zhì)外延的應(yīng)力積累和釋放模型優(yōu)化生長,利用晶格應(yīng)力誘導(dǎo)位錯反應(yīng),在總外延層厚度5微米條件下,可以穩(wěn)定量產(chǎn)位錯密度~1.5E8/c㎡的硅襯底GaN外延片.

通過采用薄buffer技術(shù)獲得總厚度超過8微米的低翹曲8英寸硅襯底GaN外延層,為制備高性能的硅襯底GaN光電器件提供了關(guān)鍵的大尺寸材料平臺。

不斷開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的硅襯底LED器件技術(shù)。主要采用硅垂直結(jié)構(gòu)芯片工藝,通過Ag鏡、光刻、刻蝕、ITO、去硅、bonding等特色工藝獲得高良率,高光效的垂直器件。

來源:eechina.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考

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