輸出泄漏檢測(OLD)與前兩個安全功能略有不同。它旨在檢測當LED被迫進入其ON狀態(tài)時出現(xiàn)的情況，因為碎屑形成了從輸出端子到接地的傳導路徑。發(fā)生這種情況時，LED會打開——無論其恒流電路驅(qū)動器的輸出是什么。

OLD元件在其輸出端子節(jié)點處產(chǎn)生少量電流，用于通過監(jiān)測端子電壓來檢測任何泄漏路徑。

兩個暗光源中的哪一個發(fā)出更多的光子。然而，當人眼被來自兩個不同來源的強光所飽和時，它就無法區(qū)分差異。對于處理視頻圖像，低灰度數(shù)據(jù)需要更多的關(guān)注。這里廣泛使用伽馬校正等技術(shù)。對于LED顯示系統(tǒng)，軟件編程可以通過ON/OFF和PWM控制驅(qū)動器實現(xiàn)伽馬校正功能。

當器件溫度為70°C或更低時，參考電壓提供的1.25V限制了DIM輸入，并且為LED提供了550mA的電流。一旦溫度超過70°C閾值，電阻分壓器輸出就會降至1.25V以下。然后，DIM輸入遵循電阻分壓器曲線，隨著溫度的持續(xù)升高，這會降低LED驅(qū)動電流。

模擬可用于估計電路的操作。此示例的仿真結(jié)果表明，DIM 電壓在1.25V直至溫度閾值時保持穩(wěn)定，然后在溫度達到120°C時呈指數(shù)下降直至達到0.3V最小輸出。

盡管如此，該電路還是提供了一種小型且簡單的解決方案，可以減少高溫下的LED驅(qū)動電流，從而延長這些組件的預期壽命。

Micro LED的全彩化的技術(shù)途徑包括：

全InGaN方案中藍光和綠光屬于InGaN體系，已成功實現(xiàn)高效的藍綠光LED；而紅光LED是Micro LED技術(shù)的重大瓶頸之一，晶能光電在InGaN紅光的開發(fā)上已取得初步成果，目前正在和合作伙伴進行InGaN紅光器件性能的進一步提升。

QD色轉(zhuǎn)換方案主要是藍光Micro LED+QD或紫光Micro LED+QD。

InGaN藍、綠光Micro LED和AlGaInP紅光Micro LED組合。

要實現(xiàn)低成本、高良率、高可靠性的Micro LED，大尺寸的硅外延技術(shù)是比較重要的實現(xiàn)途徑。在大尺寸硅襯底上的GaN外延技術(shù)深度耕耘，目前已開發(fā)了從365nm到650nm全色系8英寸硅襯底LED外延片，并在外延參數(shù)、器件光效、一致性、可靠性等關(guān)鍵方面進行了全方位的優(yōu)化。

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