232層NAND是首款支持NV-LPDDR4 的量產(chǎn)技術(shù)。NV-LPDDR4是一種低壓接口，與此前的I/O接口相比，每比特傳輸能耗可降低至少30%。

232層NAND緊湊的外形規(guī)格還便于客戶進(jìn)行靈活設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)超越歷代產(chǎn)品的每平方毫米最高的 TLC密度(14.6Gb/mm2)3。其面密度比當(dāng)今市場(chǎng)上的TLC競(jìng)品高35%到100%3。

它還采用全新的 11.5mmx13.5mm封裝規(guī)格，較前幾代產(chǎn)品的封裝尺寸小28%2，使其成為目前市場(chǎng)上尺寸最小的高密度NAND3。該產(chǎn)品兼具小體積和高密度，因此占用更小的電路板空間，適用于各類部署。

SMC 2000 CXL的存儲(chǔ)控制器采用創(chuàng)新設(shè)計(jì)，提供可靠性、可用性和可維護(hù)性（RAS）功能，將解決方案的效率和性能提升到新的水平。通過CXL連接，SMC 2000外部存儲(chǔ)控制器使CPU或SoC能夠利用具有不同成本、功耗和性能指標(biāo)的多種介質(zhì)類型，而無需為每種不同類型介質(zhì)集成專門的存儲(chǔ)控制器。

通過使用帶有DDR-4存儲(chǔ)器的SMC 2000控制器，僅直接支持DDR5的高級(jí)CPU現(xiàn)在也可以重新使用DDR-4存儲(chǔ)器擴(kuò)展。借助雙重簽名認(rèn)證和可信平臺(tái)支持、安全調(diào)試和安全固件更新，可確保基于SMC 2000 CXL的控制器系列也能滿足所有關(guān)鍵的存儲(chǔ)和企業(yè)應(yīng)用安全需求。

數(shù)據(jù)中心應(yīng)用工作負(fù)載需要未來的存儲(chǔ)器產(chǎn)品能夠提供與今天基于并行DDR的存儲(chǔ)產(chǎn)品相同的高性能帶寬、低延遲和可靠性。

通過將CPU與高性能集成顯卡、增強(qiáng)的視覺計(jì)算和AI功能整合到一個(gè)緊湊的處理配置中，面向物聯(lián)網(wǎng)邊緣的第12代英特爾酷睿系統(tǒng)芯片能夠幫助客戶解鎖更多全新機(jī)會(huì)——從定制化零售網(wǎng)點(diǎn)解決方案到改善醫(yī)療診斷的精確成像和模式識(shí)別。

面向物聯(lián)網(wǎng)邊緣的第12代英特爾酷睿系統(tǒng)芯片能夠造福于各行各業(yè)：

零售、銀行、酒店和教育領(lǐng)域的客戶將能夠擴(kuò)展邊緣系統(tǒng)的遠(yuǎn)程控制和管理功能，提高無接觸式銷售點(diǎn)的價(jià)值，并快速響應(yīng)不斷變化的供需情況。

工業(yè)制造領(lǐng)域的客戶可以更好地利用工業(yè)PC、邊緣服務(wù)器、高級(jí)控制器、機(jī)器視覺系統(tǒng)和虛擬化控制平臺(tái)。

醫(yī)療領(lǐng)域客戶將能夠在邊緣提供增強(qiáng)的超聲成像功能、醫(yī)療車、內(nèi)窺鏡檢查功能和臨床設(shè)備。

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