VDDQ電壓、使用外部Vpp供電操作字線、使用POD信號和VDDQ截止，以及前面討論的更小的行尺寸和激活電流，都使得DDR4的整體功耗比DDR3 SDRAM大大降低。

在類似的數(shù)據(jù)速率下，DDR4器件大約減少了30%的功耗。這使得用戶可以實(shí)現(xiàn)更高的速度，或以更低的功耗實(shí)現(xiàn)相同的性能。我們可提供DDR4T04G72的功耗預(yù)測表和ICEPAK/ECXML熱模型。

在系統(tǒng)的層面，DDR4提供了更高的可靠性、可用性和可服務(wù)（RAS）。數(shù)據(jù)總線在寫操作時(shí)的CRC錯(cuò)誤檢測和命令、地址總線的奇偶校驗(yàn)。與DDR3不同，DDR4可被配置為當(dāng)檢測到奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)停止命令。

使用逐次逼近寄存器(SAR)ADC的各種工業(yè)應(yīng)用（例如，電能質(zhì)量分析、聲納或采樣率在1MSPS到超過 10MSPS之間的工業(yè)雷達(dá)）也可以使用精密Δ-Σ和GSPS ADC。

高速SAR ADC的全新ADC35xx和ADC36xx系列具有一個(gè)集成式數(shù)字濾波器，因此工業(yè)應(yīng)用可利用這一過采樣和抽取設(shè)計(jì)技術(shù)來降低對外部模擬濾波器的要求。

GoBridge ASSP支持多種電平標(biāo)準(zhǔn)，包括3.3V、2.5V或1.8V。GWU2X和GWU2U出廠時(shí)均已完成配置，無需加載固件。

FPGA工程師和嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)師可以輕松使用高云半導(dǎo)體ASSP橋接解決方案，無需額外的編程開發(fā)工作。高云半導(dǎo)體低功耗ASSP解決方案將為客戶節(jié)省成本，并大大縮短項(xiàng)目開發(fā)時(shí)間。在全球半導(dǎo)體器件缺貨嚴(yán)重的市場局勢下，為客戶提供了額外的橋接芯片選擇。

來源：eefocus.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考