GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內(nèi)，其功耗、電壓范圍等方面均實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步提升，為消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)以及便攜式健康監(jiān)測(cè)設(shè)備等對(duì)電池壽命和緊湊型設(shè)計(jì)有著嚴(yán)苛需求的應(yīng)用提供了理想選擇。

Arteris FlexNoC技術(shù)是一種具有靈活主干的片上通信解決方案。

產(chǎn)品提供了可擴(kuò)展性，可實(shí)現(xiàn)功耗、性能和面積目標(biāo)。這種互連技術(shù)減少了片上通信的瓶頸，并擴(kuò)展了管理 DDR存儲(chǔ)通道之間交錯(cuò)的選項(xiàng)，這是開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的視覺(jué)系統(tǒng)時(shí)的一個(gè)額外好處。

GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產(chǎn)品系列采用僅為1.2mm×1.2mm的超小型USON6封裝，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封裝產(chǎn)品，縮小了高達(dá)36%的占板面積，為空間受限的產(chǎn)品提供了更大的設(shè)計(jì)自由度。

在低功耗設(shè)計(jì)方面，兆易創(chuàng)新將GD25WDxxK6系列的功耗控制在極低水平內(nèi)，在待機(jī)狀態(tài)下，電流僅為0.1μA，可顯著延長(zhǎng)電子設(shè)備的電池壽命。

因此，232層NAND解決方案可實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗平衡，是移動(dòng)應(yīng)用以及數(shù)據(jù)中心和智能邊緣領(lǐng)域部署的理想之選。此外，該接口還可向后兼容，支持傳統(tǒng)控制器和系統(tǒng)。

X3-9070具有如下技術(shù)特點(diǎn)：

X3-9070實(shí)現(xiàn)高達(dá)2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升；

得益于晶棧3.0的架構(gòu)創(chuàng)新，X3-9070成為了長(zhǎng)江存儲(chǔ)歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb的存儲(chǔ)容量；

得益于創(chuàng)新的6-plane設(shè)計(jì)，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，性能提升50%以上，同時(shí)功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來(lái)更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。