高能效E系列超結(jié)技術(shù)10V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.045Ω
發(fā)布時間:2022/12/5 1:18:25 訪問次數(shù):121
SiHK045N60EF基于高能效E系列超結(jié)技術(shù),10V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.045Ω,比PowerPAK 8x8封裝器件低27%,從而提高了額定功率,支持≥3kW的各種應(yīng)用,同時器件高度低至2.3mm,增加了功率密度。
此外,MOSFET超低柵極電荷降至70nC。器件的FOM為3.15Ω*nC,比同類中最接近的MOSFET競品低2.27%。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低,從而節(jié)省能源提高能效。
日前發(fā)布的MOSFET符合 RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素,耐受雪崩模式過壓瞬變,并保證極限值 100% 通過 UIS 測試。
Screaming Eagle添加了可編程MR(中距離)模式,能夠?qū)2M(芯片到模塊)和VSR(極短距離)應(yīng)用的SerDes功耗降低20%。Screaming Eagle 1.6T芯片采用23x23mm封裝,是業(yè)界最小的線卡芯片尺寸。
基于強大的平臺,這些電源的設(shè)計都進行過優(yōu)化,可為需要高質(zhì)量電源解決方案的醫(yī)療應(yīng)用提供更高的性價比產(chǎn)品。PJMA系列提供12、24、36和48VDC四種輸出電壓。
使用此體積更小、功率密度更高的CFP15B封裝來替代DPAK或SMB/C封裝,不僅可保持同等水平的電氣性能,還能最多節(jié)省60%的電路板空間。
這種耐用的封裝設(shè)計可延長二極管件的工作時間并提高板級可靠性。
上海德懿電子科技有限公司 www.deyie.com
來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。圖片供參考
SiHK045N60EF基于高能效E系列超結(jié)技術(shù),10V條件下典型導(dǎo)通電阻僅為0.045Ω,比PowerPAK 8x8封裝器件低27%,從而提高了額定功率,支持≥3kW的各種應(yīng)用,同時器件高度低至2.3mm,增加了功率密度。
此外,MOSFET超低柵極電荷降至70nC。器件的FOM為3.15Ω*nC,比同類中最接近的MOSFET競品低2.27%。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開關(guān)損耗降低,從而節(jié)省能源提高能效。
日前發(fā)布的MOSFET符合 RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素,耐受雪崩模式過壓瞬變,并保證極限值 100% 通過 UIS 測試。
Screaming Eagle添加了可編程MR(中距離)模式,能夠?qū)2M(芯片到模塊)和VSR(極短距離)應(yīng)用的SerDes功耗降低20%。Screaming Eagle 1.6T芯片采用23x23mm封裝,是業(yè)界最小的線卡芯片尺寸。
基于強大的平臺,這些電源的設(shè)計都進行過優(yōu)化,可為需要高質(zhì)量電源解決方案的醫(yī)療應(yīng)用提供更高的性價比產(chǎn)品。PJMA系列提供12、24、36和48VDC四種輸出電壓。
使用此體積更小、功率密度更高的CFP15B封裝來替代DPAK或SMB/C封裝,不僅可保持同等水平的電氣性能,還能最多節(jié)省60%的電路板空間。
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