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快速短路響應(yīng)達到預(yù)設(shè)電流極限時啟動精確過流保護

發(fā)布時間:2023/2/10 12:44:26 訪問次數(shù):70

小型3mmx3mm TDFN封裝,具有可調(diào)電流極限和過壓保護(OVP)功能的新型電子保險絲---SiP32433A/B和SiP32434A/B。

當(dāng)應(yīng)用因鎖存故障關(guān)斷時,SiP32433A和SiP32434A可關(guān)閉電源開關(guān),而SiP32433B和SiP32434B可在達到預(yù)設(shè)時間后自動重試。

四款器件均可做出快速短路響應(yīng),達到預(yù)設(shè)電流極限時啟動精確過流保護(OCP),無需加大電流裕度——這是電力總線支持多負載設(shè)計的一個重要特征。而競品解決方案通常需要30%以上電流裕度。SiP32433A和SiP32433B支持主動反向電流阻斷,適用于USB Type-C和多電源切換應(yīng)用。

這兩款1 A整流器采用SMA(DO-214AC)封裝,反向恢復(fù)電荷(Qrr)和正向壓降達到同類器件先進水平。Vishay Semiconductors VSE7MH0112-M3和經(jīng)過AEC-Q101認證的VS-E7MH0112HM3可用來優(yōu)化工業(yè)和汽車應(yīng)用,提高AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器輔助功能和低功率級的能效。

整流器快速恢復(fù)時間為75 ns,典型 Qrr 低至150 nC。器件典型正向壓降1.10 V,比市場上接近的競品低10%,寄生電容降低50 %,且不影響器件可靠性。此外,與上一代解決方案相比,整流器反向恢復(fù)能量(Erec)提高10%,軟恢復(fù)有助于降低EMI。

器件可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續(xù)流二極管,也可用作自舉驅(qū)動功能的高頻整流器,同時可為最新快速開關(guān)IGBT和Si / SiC MOSFET提供去飽和保護。

此外,全新驅(qū)動IC擁有150V/ns(納秒)或更高的CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)性能,在滿足逆變器系統(tǒng)所需的高電壓和快速開關(guān)速度的同時,帶來可靠的通信與更強的抗噪能力。新產(chǎn)品在小型SOIC16封裝中實現(xiàn)柵極驅(qū)動器的基本功能,使其成為低成本變頻器系統(tǒng)的理想選擇。

RAJ2930004AGM可與IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。

除適用于牽引逆變器外,該柵極驅(qū)動器IC還非常適合采用功率半導(dǎo)體的各類應(yīng)用,如車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。為助力開發(fā)商將產(chǎn)品迅速推向市場,xEV逆變器套件解決方案,該方案將柵極驅(qū)動IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結(jié)合,并計劃包含新柵極驅(qū)動IC的版本。

http://yushuo.51dzw.com/ 深圳市裕碩科技有限公司

小型3mmx3mm TDFN封裝,具有可調(diào)電流極限和過壓保護(OVP)功能的新型電子保險絲---SiP32433A/B和SiP32434A/B。

當(dāng)應(yīng)用因鎖存故障關(guān)斷時,SiP32433A和SiP32434A可關(guān)閉電源開關(guān),而SiP32433B和SiP32434B可在達到預(yù)設(shè)時間后自動重試。

四款器件均可做出快速短路響應(yīng),達到預(yù)設(shè)電流極限時啟動精確過流保護(OCP),無需加大電流裕度——這是電力總線支持多負載設(shè)計的一個重要特征。而競品解決方案通常需要30%以上電流裕度。SiP32433A和SiP32433B支持主動反向電流阻斷,適用于USB Type-C和多電源切換應(yīng)用。

這兩款1 A整流器采用SMA(DO-214AC)封裝,反向恢復(fù)電荷(Qrr)和正向壓降達到同類器件先進水平。Vishay Semiconductors VSE7MH0112-M3和經(jīng)過AEC-Q101認證的VS-E7MH0112HM3可用來優(yōu)化工業(yè)和汽車應(yīng)用,提高AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器輔助功能和低功率級的能效。

整流器快速恢復(fù)時間為75 ns,典型 Qrr 低至150 nC。器件典型正向壓降1.10 V,比市場上接近的競品低10%,寄生電容降低50 %,且不影響器件可靠性。此外,與上一代解決方案相比,整流器反向恢復(fù)能量(Erec)提高10%,軟恢復(fù)有助于降低EMI。

器件可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續(xù)流二極管,也可用作自舉驅(qū)動功能的高頻整流器,同時可為最新快速開關(guān)IGBT和Si / SiC MOSFET提供去飽和保護。

此外,全新驅(qū)動IC擁有150V/ns(納秒)或更高的CMTI(共模瞬態(tài)抗擾度)性能,在滿足逆變器系統(tǒng)所需的高電壓和快速開關(guān)速度的同時,帶來可靠的通信與更強的抗噪能力。新產(chǎn)品在小型SOIC16封裝中實現(xiàn)柵極驅(qū)動器的基本功能,使其成為低成本變頻器系統(tǒng)的理想選擇。

RAJ2930004AGM可與IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。

除適用于牽引逆變器外,該柵極驅(qū)動器IC還非常適合采用功率半導(dǎo)體的各類應(yīng)用,如車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。為助力開發(fā)商將產(chǎn)品迅速推向市場,xEV逆變器套件解決方案,該方案將柵極驅(qū)動IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結(jié)合,并計劃包含新柵極驅(qū)動IC的版本。

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