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雙精度浮點(diǎn)單元能使用基于浮點(diǎn)建模和仿真工具進(jìn)行代碼開發(fā)

發(fā)布時(shí)間:2023/7/15 17:48:29 訪問(wèn)次數(shù):31

整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案,新的PIC32MK系列共包含4款高度集成、用于高精度雙電機(jī)控制應(yīng)用的MCU器件(PIC32MK MC),以及8款帶有串行通信模塊、用于通用應(yīng)用的MCU器件(PIC32MK GP)。

為了簡(jiǎn)化控制算法的開發(fā)工作,MCU內(nèi)核中還集成了一個(gè)雙精度浮點(diǎn)單元,以便客戶能使用基于浮點(diǎn)的建模和仿真工具來(lái)進(jìn)行代碼開發(fā)。

這些器件還包含多個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)模塊,在12位模式下,吞吐量可達(dá)25.45 MSPS(每秒兆次采樣),而在8位模式下則可達(dá)33.79MSPS,這有助于電機(jī)控制應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的精度。

為了提高效率并減少電機(jī)控制應(yīng)用中所需的分立器件的數(shù)量,此次發(fā)布的高性能PIC32MK MC器件不僅擁有32位處理能力,還集成了許多高級(jí)模擬外設(shè),比如四合一10MHz運(yùn)算放大器、多個(gè)高速比較器以及用于電機(jī)控制的優(yōu)化脈寬調(diào)制(PWM)模塊。

這些器件擁有最高1MB的實(shí)時(shí)更新閃存、4KB的EEPROM和256 KB的SRAM。

另一方面,總體比較穩(wěn)健的電性能確保其最適合電信級(jí)電源、服務(wù)器電源、大功率工業(yè)開關(guān)式電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源(UPS)和大型太陽(yáng)能逆變器。除最大限度提升碳化硅能效外,最低的正向壓降VF還有助于降低工作溫度,延長(zhǎng)應(yīng)用設(shè)備的生命周期。

制程確保產(chǎn)品具有很小的VF (數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定的正向電壓)壓差,在原始設(shè)備制造商量產(chǎn)電路時(shí),這可以確保電路有很好的再現(xiàn)性。

器件還可以實(shí)現(xiàn)精度極高的可調(diào)輸出電源。MCP19122/3 DC-DC轉(zhuǎn)換器能夠維持初始0.5%甚至更高的輸出電壓精度。除了嚴(yán)格的電壓穩(wěn)壓之外,MCP19122/3使用具有專業(yè)內(nèi)部測(cè)量校準(zhǔn)功能的無(wú)損電感電流檢測(cè)方法,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的電流測(cè)量。

2A-40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (結(jié)勢(shì)壘肖特基)二極管全系產(chǎn)品讓更多的應(yīng)用設(shè)備產(chǎn)品受益于碳化硅技術(shù)的高開關(guān)能效、快速恢復(fù)和穩(wěn)定的溫度特性。

整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案,新的PIC32MK系列共包含4款高度集成、用于高精度雙電機(jī)控制應(yīng)用的MCU器件(PIC32MK MC),以及8款帶有串行通信模塊、用于通用應(yīng)用的MCU器件(PIC32MK GP)。

為了簡(jiǎn)化控制算法的開發(fā)工作,MCU內(nèi)核中還集成了一個(gè)雙精度浮點(diǎn)單元,以便客戶能使用基于浮點(diǎn)的建模和仿真工具來(lái)進(jìn)行代碼開發(fā)。

這些器件還包含多個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)模塊,在12位模式下,吞吐量可達(dá)25.45 MSPS(每秒兆次采樣),而在8位模式下則可達(dá)33.79MSPS,這有助于電機(jī)控制應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高的精度。

為了提高效率并減少電機(jī)控制應(yīng)用中所需的分立器件的數(shù)量,此次發(fā)布的高性能PIC32MK MC器件不僅擁有32位處理能力,還集成了許多高級(jí)模擬外設(shè),比如四合一10MHz運(yùn)算放大器、多個(gè)高速比較器以及用于電機(jī)控制的優(yōu)化脈寬調(diào)制(PWM)模塊。

這些器件擁有最高1MB的實(shí)時(shí)更新閃存、4KB的EEPROM和256 KB的SRAM。

另一方面,總體比較穩(wěn)健的電性能確保其最適合電信級(jí)電源、服務(wù)器電源、大功率工業(yè)開關(guān)式電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源(UPS)和大型太陽(yáng)能逆變器。除最大限度提升碳化硅能效外,最低的正向壓降VF還有助于降低工作溫度,延長(zhǎng)應(yīng)用設(shè)備的生命周期。

制程確保產(chǎn)品具有很小的VF (數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定的正向電壓)壓差,在原始設(shè)備制造商量產(chǎn)電路時(shí),這可以確保電路有很好的再現(xiàn)性。

器件還可以實(shí)現(xiàn)精度極高的可調(diào)輸出電源。MCP19122/3 DC-DC轉(zhuǎn)換器能夠維持初始0.5%甚至更高的輸出電壓精度。除了嚴(yán)格的電壓穩(wěn)壓之外,MCP19122/3使用具有專業(yè)內(nèi)部測(cè)量校準(zhǔn)功能的無(wú)損電感電流檢測(cè)方法,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的電流測(cè)量。

2A-40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (結(jié)勢(shì)壘肖特基)二極管全系產(chǎn)品讓更多的應(yīng)用設(shè)備產(chǎn)品受益于碳化硅技術(shù)的高開關(guān)能效、快速恢復(fù)和穩(wěn)定的溫度特性。

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