Loihi測試芯片提供高度靈活的片上學(xué)習(xí)能力，并把訓(xùn)練和推斷整合到一個(gè)芯片上。

這讓機(jī)器實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，并實(shí)時(shí)進(jìn)行調(diào)整，無需等待來自云端的下一次更新。

與其他典型的脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相比，在解決MNIST數(shù)字識別問題時(shí)，以實(shí)現(xiàn)一定準(zhǔn)確率所需要的總操作數(shù)來看，Loihi芯片學(xué)習(xí)速度提高了100萬倍。與卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和深度學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相比，Loihi測試芯片在同樣的任務(wù)中需要的資源更少。

這種測試芯片的自主學(xué)習(xí)功能具有巨大的潛力，可以改進(jìn)汽車和工業(yè)應(yīng)用以及個(gè)人機(jī)器人——包括任何在非結(jié)構(gòu)化環(huán)境下得益于自主操作和持續(xù)學(xué)習(xí)的應(yīng)用，例如，識別汽車或自行車的運(yùn)動(dòng)。

相比其他類似技術(shù)，掩膜更少、功耗更低、密度更高、性能也更高。同時(shí)，22FDX®的體偏壓技術(shù)能夠簡化設(shè)計(jì)，縮短上市時(shí)間，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)短時(shí)峰值性能的應(yīng)用需求。這為22FDX®技術(shù)提供強(qiáng)大優(yōu)勢，降低開發(fā)成本的同時(shí)，也為客戶提供了性能優(yōu)異的解決方案。 

22FDX®平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器（eMRAM）技術(shù)：FDX®和eMRAM的高能效連同差異化的射頻和毫米波IP，使得22FDX成為電池驅(qū)動(dòng)的物聯(lián)網(wǎng)和自動(dòng)駕駛汽車?yán)走_(dá)片上系統(tǒng)(SoCs)的理想平臺。

此外，新推出的第六代全新二極管充分發(fā)揮碳化硅的強(qiáng)大特性——獨(dú)立于溫度的開關(guān)性能和沒有反向恢復(fù)電荷。

該器件的設(shè)計(jì)有助于在所有負(fù)載條件下提高效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。因此， 第六代650 V CoolSiC肖特基二極管具備降低散熱要求、提高系統(tǒng)可靠性和極快開關(guān)速度等諸多優(yōu)勢。