TGF297x晶體管提供6W至22W的輸出功率。 TGF297x晶體管采用TQGaN25工藝制造，采用場板技術優(yōu)化高漏極偏置操作下的功率和效率.

要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應用專門設計。STM32F105和STM32F107互連型系列微控制器之前，推出STM32基本型系列、增強型系列、USB基本型系列、互補型系列；新系列產(chǎn)品沿用增強型系列的72MHz處理頻率。

為了提高邊緣設備機器學習能力，推出Arm機器學習處理器，能夠有效運行各種神經(jīng)網(wǎng)絡，芯片主要特點：大幅提升 CPU、GPU、DSP和加速器效率。

MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發(fā)，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無鹵素，無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結技術制造，在10V下的最大導通電阻只有0.52Ω，柵極電荷低至17nC，導通電阻與柵極電荷乘積更低，該參數(shù)是評價功率轉換應用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)。

它是電流放大器件，但是在實際時候通常通過一個電阻將三極管的電流放大作用轉變?yōu)殡妷悍糯笞饔茫虼�，只要電路參�?shù)設置合適，一般輸出電壓可以比輸入電壓高很多倍。

它有三個工作狀態(tài)：截止狀態(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。三極管一般是弱電中使用，而且出現(xiàn)在開關作用、電流放大作用，例如蜂鳴器驅動、數(shù)碼管驅動、直流小風扇驅動等方面。

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