當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓就會引起較大的靜態(tài)功耗
發(fā)布時間:2023/7/28 12:00:17 訪問次數(shù):65
當(dāng)使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be只有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實際最終加載gate上的電壓只有4.3V,這時候,我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
輸入電壓并不是一個固定值,它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓,就會引起較大的靜態(tài)功耗。
支持高達100MHz的接收機和發(fā)射大信號瞬時帶寬;
高達250MHz的觀測接收機和發(fā)射合成帶寬;
全集成式LO和時鐘功能;
高度先進的片內(nèi)校準和校正算法;
可以取代或消除多達20個分立無線電器件,且能用作多種應(yīng)用和標(biāo)準的通用設(shè)計平臺,提高研發(fā)效率并縮短終端產(chǎn)品的上市時間;
支持廣泛的標(biāo)準和應(yīng)用,可減少客戶所需的設(shè)計變量數(shù)目,從而降低器件和開發(fā)成本。
至于為什么不適用號耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,一般都用NMOS,也多以NMOS為主。
與常規(guī)開關(guān)穩(wěn)壓器相比,開關(guān)電容器架構(gòu)具固有的軟切換,實現(xiàn)了更低的輻射噪聲和EMI。
用于復(fù)位超時和窗口化看門狗超時的定時控制可以用RT和WT引腳上的外部電容器調(diào)節(jié),或者可以通過引腳搭接從內(nèi)部固定。復(fù)位輸入的準確門限可用于額外的電源監(jiān)視,或可配置為按鈕復(fù)位。其他特點包括采用陶瓷電容器可穩(wěn)定、折返電流限制以防止啟動時電流過大、以及短路和過熱保護。
當(dāng)使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be只有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實際最終加載gate上的電壓只有4.3V,這時候,我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險。同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
輸入電壓并不是一個固定值,它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動電壓是不穩(wěn)定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下,當(dāng)提供的驅(qū)動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓,就會引起較大的靜態(tài)功耗。
支持高達100MHz的接收機和發(fā)射大信號瞬時帶寬;
高達250MHz的觀測接收機和發(fā)射合成帶寬;
全集成式LO和時鐘功能;
高度先進的片內(nèi)校準和校正算法;
可以取代或消除多達20個分立無線電器件,且能用作多種應(yīng)用和標(biāo)準的通用設(shè)計平臺,提高研發(fā)效率并縮短終端產(chǎn)品的上市時間;
支持廣泛的標(biāo)準和應(yīng)用,可減少客戶所需的設(shè)計變量數(shù)目,從而降低器件和開發(fā)成本。
至于為什么不適用號耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,一般都用NMOS,也多以NMOS為主。
與常規(guī)開關(guān)穩(wěn)壓器相比,開關(guān)電容器架構(gòu)具固有的軟切換,實現(xiàn)了更低的輻射噪聲和EMI。
用于復(fù)位超時和窗口化看門狗超時的定時控制可以用RT和WT引腳上的外部電容器調(diào)節(jié),或者可以通過引腳搭接從內(nèi)部固定。復(fù)位輸入的準確門限可用于額外的電源監(jiān)視,或可配置為按鈕復(fù)位。其他特點包括采用陶瓷電容器可穩(wěn)定、折返電流限制以防止啟動時電流過大、以及短路和過熱保護。
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