650V氮化鎵開關(guān)管，驅(qū)動(dòng)電路和邏輯電路，其開關(guān)速度是硅類開關(guān)管的10倍至100倍，以達(dá)到更高系統(tǒng)功率密度，更高效率和更低成本。

基于其專利的AllGaN™650V單片平臺上研發(fā)的業(yè)界首款氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)與功率集成芯片。集成邏輯電路，驅(qū)動(dòng)電路的氮化鎵功率芯片(GaNPower IC)能夠?qū)崿F(xiàn)比現(xiàn)有的硅電路高10倍至100倍的開關(guān)頻率，使得系統(tǒng)體積更小，重量更輕，成本更低。

新一代高頻(10x~100x)，高效率的電源變換器正在應(yīng)用于智能手機(jī)和筆記本充電器，OLED電視， LED照明，太陽能逆變器，無線充電設(shè)備和數(shù)據(jù)中心電源。

還具有各種低功耗外設(shè)（包括UART和提供停止模式的定時(shí)器）和低功耗模擬外設(shè)（例如運(yùn)算放大器、比較器、12位DAC和16位ADC。

提供2種變體，即STM32L476（USB和LCD）和STM32L486（USB、LCD和AES）。STM32L4系列與整個(gè)STM32系列引腳兼容。還提供基于STM32L476VG MCU的STM32L4探索套件。

電容器可在-55℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作，電壓降額時(shí)，在120Hz和+25℃下的最大ESR低至1.50Ω。電容器采用標(biāo)準(zhǔn)錫/鉛(Sn/Pb)端接，也提供符合RoHS的100%錫端接。

電容器采用高可靠性設(shè)計(jì),有很強(qiáng)的耐振動(dòng)（周期振動(dòng)：50g；隨機(jī)振動(dòng)：27.8g）能力。

數(shù)字式低功耗同步整流器控制器iW673可與QC3.0芯片組一起使用，使整體系統(tǒng)效率可達(dá)90%左右。這將散熱降到了最低，從而可以生產(chǎn)外形更小、輸出功率更高的電源適配器，為AC/DC適配器設(shè)計(jì)增加了對消費(fèi)者的吸引力。

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