一個完整的物理IP基礎平臺,在聯電的55ULP工藝技術是實現低功耗和新興的物聯網應用成本敏感的設計是至關重要的,通過提供優(yōu)化目標能效，ARM與聯電所提供的SoC設計者提供了一整套新工具的功能庫。

物聯網芯片設計者們被要求在更多的權力受限的環(huán)境中提供更高集成度的解決方案，以及更迅速，聯電擁有鑄造行業(yè)最強大的物聯網專用的55納米技術平臺，通過綜合性極強的IP資源支持，以解決”總是在物聯網產品的“超低功耗的要求。

我們55ULP平臺增加了工匠物理IP立即增加工具的廣度，我們可以提供，以減少復雜性和上市時間。

在0.9V的超低電壓域，從而節(jié)省高達44％的動態(tài)功耗和25％的泄漏功率相比于1.2V域操作

多VTS多通道庫提供SoC設計人員泄漏和性能選項。長信道的庫可用于高達80％的進一步減少泄漏。電源管理工具包（PMK）使主動和泄漏功率緩解。

創(chuàng)新的厚柵氧化層庫將可以顯著降低泄漏（350X低于常規(guī)標準單元）的總對細胞。此庫的較高電壓（包括在物聯網設備中使用的電池電壓）進行接口的能力也可提供否定需要一個電壓調節(jié)器的優(yōu)點。

新一代高密度存儲編譯器提供多種集成的電源模式來保存狀態(tài)，同時盡量減少待機泄漏.利用這些模式將允許時相比,經常待機的SoC設計人員能夠實現低高達95％的滲漏。

MLJ1608系列使用新開發(fā)的使用低損耗鐵素體材料，在交流信號條件下通電時也實現了高于同形狀的卷線線圈的低損耗特性。

另外，還改善了鐵素體材料的重疊特性，在流經NFC電路的最大為300mA左右的電流下，能夠確保與卷線線圈同等的特性。當然也確保了電感的窄公差、High-Q、磁屏蔽特性，成為了滿足NFC用線圈所要求的全部特性的產品。

電感擴展了160nH～560nH，同時也在開發(fā)針對低耗電用NFC-IC和小型化要求的MLJ1005系列電感器。

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