可擴(kuò)展碳化硅(SiC)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)解決方案，其基礎(chǔ)為一系列碳化硅MOSFET產(chǎn)品和的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動(dòng)器。

新的參考設(shè)計(jì)為客戶提供高度隔離的碳化硅MOSFET雙柵極驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)，以便通過(guò)多個(gè)拓?fù)鋪?lái)評(píng)估碳化硅MOSFET。這包括為支持同步死區(qū)時(shí)間保護(hù)的半橋開(kāi)關(guān)和無(wú)保護(hù)異步信號(hào)傳輸而優(yōu)化的模式。

通過(guò)配置，它也可以提供并行驅(qū)動(dòng)以滿足研究非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān)(UIS) 或雙脈沖測(cè)試的要求。該參考設(shè)計(jì)專(zhuān)為碳化硅MOSFET分立器件和模塊而開(kāi)發(fā)，是用于評(píng)估其SiC器件產(chǎn)品組合的工程工具。其電路板支持修改柵極電阻值，以容納大部分分立器件和模塊。

與通用型產(chǎn)品相比，新一代電源卡緣連接器的密度提高了30%，具有更佳連接容限，從而實(shí)現(xiàn)更可靠連接。TE的獨(dú)有設(shè)計(jì)具有模組化、可擴(kuò)展的特點(diǎn)，支持配置和PCB設(shè)計(jì)的更高靈活性。

此類(lèi)產(chǎn)品是下一代卡緣連接器,可替代當(dāng)前的SEC-II電源卡緣產(chǎn)品，以獨(dú)特的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)超高的電流和信號(hào)密度.主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備及電源系統(tǒng)等。

在變頻家電應(yīng)用方面，展出三款碳化硅功率器件，分別是第一次亮相的全碳化硅DIPIPMTM和碳化硅SBD，另外還有混合/全碳化硅DIPPFCTM。

全碳化硅DIPIPMTM特別適合變頻家電，它采用碳化硅MOSFET損耗更低，效率更高；其碳化硅MOSFET自身體二極管作為FWDi，降低反向恢復(fù)電流和噪聲。它與超小型的DIPIPMTM封裝相同，可使用相同的電路板，額定電流覆蓋15A、25A/600V，集成短路保護(hù)和欠壓保護(hù)，同時(shí)有溫度模擬量輸出。

至于碳化硅SBD則可以應(yīng)用在PFC及光伏發(fā)電上。它的損耗比硅器件減少20%，更高I2t，對(duì)抗浪涌電流有更強(qiáng)的能力；更強(qiáng)的高頻開(kāi)關(guān)特性，可以使周邊器件小型化(電抗器)，額定電流覆蓋20A/600V。

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