MOSFET采用6mmx5mm PowerPAK®SO-8封裝，是目前最大導(dǎo)通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，F(xiàn)OM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻則要高11%甚至更多。

DLP技術(shù)的獨(dú)特架構(gòu)，可讓HUD系統(tǒng)承受投射長(zhǎng)距離VIDs時(shí)所產(chǎn)生的強(qiáng)烈太陽(yáng)光照射。 

強(qiáng)化的VIDs結(jié)合透過寬視野(FOV)的影像顯示能力，使設(shè)計(jì)人員能夠靈活地制造具有強(qiáng)化景深的AR HUD系統(tǒng)，進(jìn)而發(fā)展交互式而非分散的娛樂信息和叢集系統(tǒng)。

LTC5548直流耦合IF輸入的基帶驅(qū)動(dòng)電平應(yīng)符合以下準(zhǔn)則：

驅(qū)動(dòng)器應(yīng)始終為差分(平衡)，采用0.0V共模。

每個(gè)IF引腳的典型驅(qū)動(dòng)電平可以是±0.1V連續(xù)(0.2V p-p)。

每個(gè)IF引腳的驅(qū)動(dòng)電平在信號(hào)峰值(0.4V p-p)上不應(yīng)超過±0.2V。

每個(gè)IF引腳的驅(qū)動(dòng)電平不得超過±0.3V絕對(duì)最大額定值。而且，這樣大的輸入信號(hào)通常在RF輸出處產(chǎn)生不可接受的高頻譜再生。

SiRA20DP的低導(dǎo)通電阻可減小傳導(dǎo)功率損耗，提高系統(tǒng)效率，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，特別適合冗余電源架構(gòu)中的OR-ring功能。

器件的FOM較低，可提高開關(guān)性能，如通信和服務(wù)器電源中DC/DC轉(zhuǎn)換，電池系統(tǒng)中的電池切換，以及5V到12V輸入電源的負(fù)載切換。

對(duì)總線共模干擾大，設(shè)備EMI要求高的場(chǎng)合，尤其是汽車行業(yè)的應(yīng)用總線采用51μH的共模電感可有效解決問題。加入共模電感帶來(lái)的問題便是引入諧振干擾。

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