LDO由獨(dú)立輸入供電用主開關(guān)輸出供電實(shí)現(xiàn)高效率和低噪聲

發(fā)布時(shí)間:2023/9/16 21:01:30 訪問(wèn)次數(shù):264

開關(guān)頻率在250kHz至2.2MHz范圍內(nèi)是用戶可編程的，從而使設(shè)計(jì)師能夠優(yōu)化效率，同時(shí)避開關(guān)鍵噪聲敏感頻段。

每個(gè)集成的跟蹤LDO都有一個(gè)準(zhǔn)確和高達(dá)200mA的可編程限流值，以確保提供更高級(jí)別的可靠性。跟蹤LDO的高準(zhǔn)確度使這些LDO非常適合給ADC和傳感器供電。盡管這些LDO可以由獨(dú)立輸入供電，但是用主開關(guān)輸出給它們供電可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和低噪聲。

耐熱增強(qiáng)型MSOP-16E封裝與高開關(guān)頻率相結(jié)合，可組成占板面積緊湊的高熱效率解決方案。

LT3668的主開關(guān)采用了高效率600mA開關(guān)，必要的振蕩器、控制和邏輯電路集成在單一芯片中。

通用CMOS工藝的一些主要電路塊優(yōu)化TFET特性，解決了這一問(wèn)題。該方法使TFET輕松安裝入現(xiàn)有生產(chǎn)線中成為可能。

兩種型號(hào)的硅基TFET，一種面向具有超低泄漏電流和優(yōu)化導(dǎo)通電流的邏輯電路，另一種面向具有極低晶體管特性偏差的SRAM電路。兩種型號(hào)均使用垂直型隧穿操作，以增強(qiáng)隧穿屬性。

邏輯TFET使用精確控制的外延材料生長(zhǎng)工藝確保使用碳和摻磷硅(phosphorus doped Si)的隧道結(jié)形成過(guò)程。這里提及的硅/硅鍺(SiGe)結(jié)也已被全面評(píng)估，以確保優(yōu)化配置。

因此，該設(shè)備的導(dǎo)通電流相比于硅TFET高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，而且N型和P型TFET的超低關(guān)態(tài)電流相同。對(duì)于SRAM型號(hào)的TFET開發(fā)，提出新穎的TFET運(yùn)行架構(gòu)，無(wú)需形成結(jié)構(gòu)化隧道結(jié)。它可消除工藝變異性，并顯著抑制晶體管的特性偏差。

高度的靈活性，可將任何微控制器(MCU)與CC3100解決方案配合使用，或通過(guò)CC3200的集成式用戶專用可編程ARM®Cortex®-M4 MCU，允許客戶添加自己的代碼。

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