識(shí)別待測(cè)時(shí)調(diào)電阻器的引腳功能,可調(diào)電阻器的檢測(cè)方法，在路測(cè)量時(shí)應(yīng)注意外圍元器件的影嘀,根據(jù)實(shí)測(cè)結(jié)果對(duì)可調(diào)電阻器的好壞作出判斷:

若兩定片之間的阻值趨近于0或無(wú)窮大,則該可調(diào)電阻器已經(jīng)損壞;

在正常情況下,定片與動(dòng)片之間的阻值應(yīng)小于標(biāo)稱值;

若定片與動(dòng)片之問的最大阻值和定片與動(dòng)片之問的最小阻值十分接近,則說(shuō)明該可調(diào)電阻器已失去調(diào)節(jié)功能。

電介質(zhì)在集成電路中主要提供器件、柵極和金屬互連間的絕緣,選擇的材料主要是氧化硅和氮化硅等,沉積方法主要是化學(xué)氣相沉積(CVD)。

隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷演進(jìn),目前主流產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)人65/45nm,32/28nm產(chǎn)品的技術(shù)也已經(jīng)出現(xiàn),為了應(yīng)對(duì)先進(jìn)制程帶來(lái)的挑戰(zhàn),電介質(zhì)薄膜必須不斷引入新的材料和新的工藝。

在45nm已經(jīng)采用了高乃的柵極介質(zhì)(主要是氧化鉿基的材料,花值約為25),器件的漏電大幅降低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

HfCl衽+H20~→H⒀2+HCl

前柵極工藝路線主要采用MOCVD沉積HsiO,然后通過(guò)熱或等離子氮化生成HsiON。沉積溫度較高(600~700℃),因?yàn)檩^高的沉積溫度配合后續(xù)高溫的氮化和氮化后熱處理(1000℃),有助于去除薄膜中的C雜質(zhì),已知C雜質(zhì)會(huì)在HfO2中形成施主能級(jí),增大薄膜的漏電流。