多晶硅柵極可以通過不同的摻雜實現(xiàn)(P型和N型),金屬柵極則需要找到適合PMOS和NMOS的具有不同功函數(shù)的金屬材料。 

所以對于先柵極工藝,通常采用功函數(shù)位于帶隙中間的金屬(如TiN),而通過在高乃介質(zhì)上(或下)沉積不同的覆蓋層來調(diào)節(jié)V1。對NMOS,覆蓋層需要含有更加電正性的原子,而對PMOS,覆蓋層需要含有更加電負(fù)性的原子(A12O3)。

在高溫?zé)崽幚砗?覆蓋層會與高花介質(zhì)/界面層發(fā)生互混,在高虍介質(zhì)/界面層的界面上形成偶極子,從而起到V1調(diào)節(jié)的作用。

根據(jù)工藝整合的不同,主要有先柵極和后柵極兩種路線,在后柵極中又有先高虍和后高虍兩種不同方法,其主要區(qū)別在于高乃介質(zhì)是否經(jīng)歷源/漏的高溫?zé)崽幚?1050℃)。

固定電阻器色環(huán)標(biāo)識的識讀方法,電阻器的色環(huán)標(biāo)注主要是以不同的顏色來表示的,不同顏色代表不同的有效數(shù)字和倍乘數(shù),具體色環(huán)顏色代表含義。

不同位置的色環(huán)顏色所表示的含義,在識讀色環(huán)電阻時,一般可從四個方面入手找到起始端并識讀,即通過允許偏差色環(huán)識讀、色環(huán)位置識讀、色環(huán)間距識讀、電阻值與允許偏差識讀。

U1=Q/C1,U2=Q/C2,U3=Q/C3

將串聯(lián)的三個電容器視為1個電容器C,則

Q/C=Q/C1+Q/C2+Q/C3

即1/C=1/C1+1/C2+1/C3

電感器的串聯(lián),為三個電感器串聯(lián)的電路示意圖及計算方法,串聯(lián)電路的電流都相等,電感量與線圈的匝數(shù)成正比。

三個電感器串聯(lián)的電路示意圖及計算方法,電感器串聯(lián)電路中,總電感量的計算方法與電阻器串聯(lián)電路計算總電阻值的方法相同,即L=L1+L2+L3。

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