16個(gè)64Gbit NAND芯片，并采用先進(jìn)的芯片減薄和壓層技術(shù)，使得單個(gè)芯片的厚度只有30微米厚。

FU 0603薄膜扁平片狀保險(xiǎn)絲采用1.55mmx0.85mmx0.45mm片狀尺寸，額定電壓為32V，提供高達(dá)4A的電流以及35A的斷流容量。該保險(xiǎn)絲為移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的dc/dc轉(zhuǎn)換器，電池充電器和低壓電源提供二級(jí)過(guò)流保護(hù)。

快速晶閘管是一個(gè)P-N-P-N共4層的三端器件,符號(hào)與普通晶問(wèn)管一樣,主要用于較高頻率的整流、斬波、逆變和變頻電路,為快速晶閘管的外形特點(diǎn)。

對(duì)新型銅、銀、金80 Plus規(guī)格的高效率電源的需求正不斷增長(zhǎng)。透過(guò)開(kāi)發(fā)高性能的高壓MOSFET，并結(jié)合低壓同步整流器，AOS能夠向電源設(shè)計(jì)師提供先進(jìn)的MOSFET整體解決方案。

可關(guān)斷晶閘管GTO俗稱(chēng)門(mén)控品閘管,屬于P-N-P-N共4層的三端器件。

其結(jié)構(gòu)及等效電路與普通晶閘管相同，可關(guān)斷晶閘管的主要特點(diǎn)是當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)能自行關(guān)斷,實(shí)物外形及基本特性。

這就需要增加換向電路,不僅使設(shè)備的體積、重量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲。

可關(guān)斷品閘管克服了普通晶閘管的上述缺陷,既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),又具有自關(guān)新能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。大功率可關(guān)斷品閘管已廣泛用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域。