3D堆疊芯片使用了硅通孔(TSV)技術(shù)，匯聚了聯(lián)電的制造技術(shù)、爾必達(dá)的內(nèi)存技術(shù)和力成的封裝技術(shù)，并在3D IC方案中整合了邏輯電路和DRAM。

3D-IC TSV方案用于下一代CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、功率放大器和其他設(shè)備，而使用TSV技術(shù)整合邏輯電路和DRAM能夠滿足IT產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品發(fā)展所需要的更強(qiáng)性能、更高集成度。

給客戶帶來(lái)一套完整的解決方案，包括邏輯電路和DRAM界面設(shè)計(jì)、TSV構(gòu)成、晶圓研磨薄化與測(cè)試、芯片堆疊封裝。

我們新系列提供的能效等級(jí)超越市場(chǎng)上的集成穩(wěn)壓器競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。因此，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將能夠以更小巧緊湊的集成方案，設(shè)計(jì)出更高性能基準(zhǔn)的電源。

射頻前端解決方案，支持高通(Qualcomm)最新發(fā)布的3G芯片組。該解決方案具有極低的耗電量、優(yōu)異的性能以及業(yè)內(nèi)小尺寸規(guī)格等特點(diǎn)，適用于滿足包括數(shù)據(jù)卡、上網(wǎng)本、電子閱讀器和下一代智能手機(jī)在內(nèi)快速發(fā)展的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)需求。

CuFlip工藝具有卓越的射頻性能與設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)加快制造和裝配；TQBiHEMT工藝使兩個(gè)砷化鎵（GaAs）集成到一個(gè)單芯片，減少元件數(shù)并節(jié)省電路板空間。這些流程使得TriQuint公司使用單個(gè)芯片的模塊來(lái)提供一個(gè)集成特性。

其采用的創(chuàng)新架構(gòu)有助于提高能效，延長(zhǎng)用戶通話時(shí)間。TQM7M5013為未來(lái)集成/多模放大器奠定了基礎(chǔ)。與最近發(fā)布的3G高通芯片組配合使用,高度通用的TQM7M5013已被配置于十幾種平臺(tái)。

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