高電流負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能
發(fā)布時間:2023/10/16 22:33:11 訪問次數(shù):62
在25A電流下實現(xiàn)超過90%高效率的同步MOSFET半橋,其占位面積僅為同類競爭功率MOSFET器件的50%。
功率模塊通過高級封裝將2個非對稱NexFET功率MOSFET進行完美整合,可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負(fù)載點 (POL)轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能。
NexFET功率模塊除提高效率與功率密度外,還能夠以高達1.5MHz的開關(guān)頻率生成高達40A的電流,可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間,改善整體電路性能。此外,NexFET功率模塊還能夠以低成本方式實現(xiàn)與GaN等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/span>
設(shè)計人員可以將mTouch電容式觸摸傳感功能與其現(xiàn)有的應(yīng)用代碼一起集成于8位、16位或32位PIC單片機(MCU),從而降低系統(tǒng)總成本。
用戶可以對每款面板進行編程,根據(jù)來自環(huán)境光傳感器的信號做出響應(yīng)。根據(jù)環(huán)境光的等級,驅(qū)動器可以將脈寬調(diào)制設(shè)定為100%、75%、50%和25%四個設(shè)定值中的一個。
作為傳統(tǒng)按鈕式用戶界面的替代方法,觸摸傳感技術(shù)不斷獲得市場青睞,因為它可以實現(xiàn)一個完全密封的、時尚外觀設(shè)計。
mTouch電容式觸摸傳感用戶界面的主要應(yīng)用包括可能需要不銹鋼前面板的家電市場,希望技術(shù)穩(wěn)健的工業(yè)市場,以及推崇技術(shù)時尚美觀的汽車市場。低功耗mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)的工作電流小于5μA,有助于降低整體功耗。
驅(qū)動器可為兩個燈具面板供電,具有反極性保護、閉環(huán)調(diào)整電流控制,12VDC的輸入帶有欠壓和過壓控制,以及拋負(fù)載保護功能。
在25A電流下實現(xiàn)超過90%高效率的同步MOSFET半橋,其占位面積僅為同類競爭功率MOSFET器件的50%。
功率模塊通過高級封裝將2個非對稱NexFET功率MOSFET進行完美整合,可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負(fù)載點 (POL)轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能。
NexFET功率模塊除提高效率與功率密度外,還能夠以高達1.5MHz的開關(guān)頻率生成高達40A的電流,可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間,改善整體電路性能。此外,NexFET功率模塊還能夠以低成本方式實現(xiàn)與GaN等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/span>
設(shè)計人員可以將mTouch電容式觸摸傳感功能與其現(xiàn)有的應(yīng)用代碼一起集成于8位、16位或32位PIC單片機(MCU),從而降低系統(tǒng)總成本。
用戶可以對每款面板進行編程,根據(jù)來自環(huán)境光傳感器的信號做出響應(yīng)。根據(jù)環(huán)境光的等級,驅(qū)動器可以將脈寬調(diào)制設(shè)定為100%、75%、50%和25%四個設(shè)定值中的一個。
作為傳統(tǒng)按鈕式用戶界面的替代方法,觸摸傳感技術(shù)不斷獲得市場青睞,因為它可以實現(xiàn)一個完全密封的、時尚外觀設(shè)計。
mTouch電容式觸摸傳感用戶界面的主要應(yīng)用包括可能需要不銹鋼前面板的家電市場,希望技術(shù)穩(wěn)健的工業(yè)市場,以及推崇技術(shù)時尚美觀的汽車市場。低功耗mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)的工作電流小于5μA,有助于降低整體功耗。
驅(qū)動器可為兩個燈具面板供電,具有反極性保護、閉環(huán)調(diào)整電流控制,12VDC的輸入帶有欠壓和過壓控制,以及拋負(fù)載保護功能。
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