光耦操作人員免遭電擊保護(hù)PLC中微控制器免受電壓尖峰損害
發(fā)布時間:2023/10/16 22:39:34 訪問次數(shù):70
標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。
新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd,采用厚度為2.0mm的低外形封裝,其封裝較DIP-8 SMD封裝可節(jié)約75%的PCB面積。
這些光耦可保護(hù)操作人員免遭電擊,保護(hù)PLC中的微控制器免受電壓尖峰的損害。
小尺寸SOP-5封裝的隔離電壓高達(dá)3750VRMS。VOM452T可耐受1kV/µs的共模噪聲,VOM453T可耐受15kV/µs的共模噪聲。
功率模塊的主要特性與優(yōu)勢:
5毫米*6毫米SON外形僅為兩個采用5毫米x6毫米QFN封裝的分立式MOSFET器件的50%;
可在25A的工作電流下實現(xiàn)超過90%的電源效率,與同類競爭器件相比,效率高2%,功率損耗低20%;
與同類解決方案相比,無需增加功率損耗便可將頻率提高2倍;
底部采用裸露接地焊盤的SON封裝可簡化布局。
功率檢波器擁有業(yè)界領(lǐng)先的性能規(guī)格和最小的尺寸(僅0.8mmx0.8mm),測量不斷變化的大波峰因數(shù)信號時無需查找表和校正系數(shù),能夠顯著提高系統(tǒng)效率、電池壽命和信號質(zhì)量,同時降低材料成本。
另外,AMD皓龍4000系列平臺還可以與8核、12核的AMD皓龍6000系列平臺實現(xiàn)了芯片組通用,并且能夠支持預(yù)計未來的“Bulldozer”核心。
http://srdz1.51dzw.com深圳市森銳電子商貿(mào)有限公司
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新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd,采用厚度為2.0mm的低外形封裝,其封裝較DIP-8 SMD封裝可節(jié)約75%的PCB面積。
這些光耦可保護(hù)操作人員免遭電擊,保護(hù)PLC中的微控制器免受電壓尖峰的損害。
小尺寸SOP-5封裝的隔離電壓高達(dá)3750VRMS。VOM452T可耐受1kV/µs的共模噪聲,VOM453T可耐受15kV/µs的共模噪聲。
功率模塊的主要特性與優(yōu)勢:
5毫米*6毫米SON外形僅為兩個采用5毫米x6毫米QFN封裝的分立式MOSFET器件的50%;
可在25A的工作電流下實現(xiàn)超過90%的電源效率,與同類競爭器件相比,效率高2%,功率損耗低20%;
與同類解決方案相比,無需增加功率損耗便可將頻率提高2倍;
底部采用裸露接地焊盤的SON封裝可簡化布局。
功率檢波器擁有業(yè)界領(lǐng)先的性能規(guī)格和最小的尺寸(僅0.8mmx0.8mm),測量不斷變化的大波峰因數(shù)信號時無需查找表和校正系數(shù),能夠顯著提高系統(tǒng)效率、電池壽命和信號質(zhì)量,同時降低材料成本。
另外,AMD皓龍4000系列平臺還可以與8核、12核的AMD皓龍6000系列平臺實現(xiàn)了芯片組通用,并且能夠支持預(yù)計未來的“Bulldozer”核心。
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