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​集成MOSFET boost轉換器無需外部MOSFET因而可降低整體BOM成本

發(fā)布時間:2023/10/19 22:25:45 訪問次數(shù):93

使用指針萬用表檢測整流二極管時,表針一直不浙擺動,不能停止在某一阻值上,則多為整流二極管的熱穩(wěn)定性不好。

穩(wěn)壓二極管是利用二極管的反向擊穿特性制造的二極管,外加較低反向電壓時呈截止狀態(tài),當反向電壓加到一定值時,反向電流急劇增加,呈反向擊穿狀態(tài)。在此狀態(tài)下,

穩(wěn)壓二極管兩端為一固定值,該值為穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值。檢測穩(wěn)壓工極管主要就是檢測穩(wěn)壓性能和穩(wěn)壓值。

集成MOSFET boost轉換器無需外部MOSFET,因而可降低整體BOM成本。

大電流運算放大器具有較快的擺率(40V/µs,典型值)和較高帶寬(16MHz),可理想用于驅動LCD背板。7路掃描驅動器的輸出擺幅可達40V(最大值),介于+35V(最大值)和-15V(最小值)之間,能夠快速驅動LCD背板的柵極電容。

MAX17117采用5mmx5mm、32引腳TQFN封裝,工作在-40°C至+85°C擴展級溫度范圍。使用直流電壓擋檢測,外接的負載電路與萬用表內的負載電阻阻值相同,則所測結果應相同。


在要求苛刻的應用環(huán)境中,與其他數(shù)字隔離器產品相比Si84xx產品性能提高很多,可提供高達300V/m的電場和高達1000A/m的電磁場抗干擾能力。

最低的射頻電磁輻射,Si84xx產品與其它數(shù)字隔離器相比最多可減少20dB的電磁幅射。

最佳的瞬變抗干擾能力,Si84xx提供高于25kV/us的共模瞬變抗干擾能力(CMTI)--比光耦合器的CMTI性能提高50% ~ 100%。

超低功耗,針對“綠色”應用進行優(yōu)化,Si84xx隔離器在高數(shù)據(jù)傳輸率下提供超低功耗。

http://tx168.51dzw.com上海熠富電子科技有限公司

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穩(wěn)壓二極管是利用二極管的反向擊穿特性制造的二極管,外加較低反向電壓時呈截止狀態(tài),當反向電壓加到一定值時,反向電流急劇增加,呈反向擊穿狀態(tài)。在此狀態(tài)下,

穩(wěn)壓二極管兩端為一固定值,該值為穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值。檢測穩(wěn)壓工極管主要就是檢測穩(wěn)壓性能和穩(wěn)壓值。

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最低的射頻電磁輻射,Si84xx產品與其它數(shù)字隔離器相比最多可減少20dB的電磁幅射。

最佳的瞬變抗干擾能力,Si84xx提供高于25kV/us的共模瞬變抗干擾能力(CMTI)--比光耦合器的CMTI性能提高50% ~ 100%。

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