跨阻放大器(TIA)，用戶(hù)要求的接收靈敏度越來(lái)越高。這主要是由于無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)的市場(chǎng)應(yīng)用和過(guò)去光通數(shù)通中使用的SFP模塊不同，無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)采用了多個(gè)(16/32路現(xiàn)在有到128路)光分路，由此導(dǎo)致的光器件的耦合損耗對(duì)系統(tǒng)的接收靈敏度的要求遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于單個(gè)鏈路的要求。

它的延遲時(shí)間與延遲控制電壓VDC（1.1~2.3V）成線性關(guān)系。內(nèi)置一溫度補(bǔ)償，將最小化由溫度引起的時(shí)間變化，其延遲控制端口提供600HZ的調(diào)制帶寬。

汽車(chē)控制單元，使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)者能夠有效利用汽車(chē)內(nèi)的有限空間，并能為其增添更為高級(jí)的功能。

產(chǎn)品可提供0ps至70ps之間不同的延遲時(shí)間，輸出電壓差恒定。它還支持單端和差分輸入，輸出電壓差可簡(jiǎn)單的用直流電壓來(lái)調(diào)節(jié)。

功率MOSFET產(chǎn)品在175°C的溫度下通過(guò)了1,000小時(shí)耐久性試驗(yàn)，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)汽車(chē)應(yīng)用可靠性的要求。這就意味著這些MOSFET產(chǎn)品適于在高溫環(huán)境下使用，如發(fā)動(dòng)機(jī)艙等。

由于功率MOSFET用于實(shí)現(xiàn)大電流開(kāi)關(guān)，因此降低元件產(chǎn)生的熱量就變得尤為重要。

為了解決這個(gè)問(wèn)題，原來(lái)的功率MOSFET在設(shè)計(jì)上選擇了具有出色散熱特性的大封裝。然而，隨著用于汽車(chē)使用的電子控制單元數(shù)量的逐年增加，電子元件也逐步朝著外形更小巧、功能更強(qiáng)大的方向發(fā)展。這種趨勢(shì)引發(fā)了對(duì)更小巧的功率MOSFET的需求。

產(chǎn)品在芯片和引腳之間采用了在汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域具有出色記錄的鋁互連線。同時(shí)，多引線連接的設(shè)計(jì)也有助于改善大電流特性。

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