芯片中集成高性能DSP數(shù)字信號(hào)處理器核心及高質(zhì)量HD Audio Codec
發(fā)布時(shí)間:2023/10/31 13:17:58 訪問(wèn)次數(shù):336
Sound Core3D在一顆芯片中集成了多個(gè)高性能DSP數(shù)字信號(hào)處理器核心以及高質(zhì)量HD Audio Codec,具體包括:4個(gè)獨(dú)立處理器核心的創(chuàng)新Quartet DSP,6聲道24bit 102dB數(shù)模轉(zhuǎn)換,4聲道24bit 101dB模數(shù)轉(zhuǎn)換,集成耳放,數(shù)字麥克風(fēng)接口,S/PDIF輸入輸出以及GPIO。
功能方面,EAX Advanced HD 5.0音效自然不會(huì)缺席,Sound Core3D還通過(guò)了Dolby Digital解碼認(rèn)證,支持CrystalVoice語(yǔ)音處理和THX TruStudio Pro音效。
此外,隨著其它封裝技術(shù)的提高,WideLead比標(biāo)準(zhǔn)TO-262封裝中的同等MOSFET少傳輸20%導(dǎo)通電阻。
Sound Core3D為單芯片56-pin QFP封裝,全新一代的“多核心音頻和語(yǔ)音處理器”Sound Core3D,主要賣(mài)點(diǎn)包括高品質(zhì)模擬音頻回放/錄制、低功耗、高集成度、低成本,針對(duì)主板集成HD Audio聲卡和消費(fèi)電子嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域。
Snapdragon芯片,為客戶(hù)提供最好的移動(dòng)處理、圖形和連接功能,以最低的功耗提供最高的性能。Snapdragon MSM8x60系列移動(dòng)處理器是針對(duì)最新多任務(wù)平板電腦和智能手機(jī)的領(lǐng)先解決方案,有兩個(gè)異步處理器內(nèi)核、性能2倍于前身產(chǎn)品的集成Adreno 220 GPU,并支持最高達(dá)1600萬(wàn)像素的攝像頭。
在標(biāo)準(zhǔn)TO-262通孔封裝中,除了MOSFET導(dǎo)通電阻,源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。
新WideLead TO-262通孔封裝可將引線電阻降至不到0.5mΩ,大大減少了引線中的傳導(dǎo)損耗和熱量,在特定的工作溫度下,比傳統(tǒng)的TO-262封裝的電流承載能力高30%,在直流電為40A和60A的條件下,WideLead引線溫度比標(biāo)準(zhǔn)TO-262分別低30%和39%。
Z系列芯片的型號(hào)是雙核Z-01,時(shí)鐘速度為1GHz。這款芯片的耗電量不到6瓦,將提供更長(zhǎng)的電池使用壽命。
Sound Core3D在一顆芯片中集成了多個(gè)高性能DSP數(shù)字信號(hào)處理器核心以及高質(zhì)量HD Audio Codec,具體包括:4個(gè)獨(dú)立處理器核心的創(chuàng)新Quartet DSP,6聲道24bit 102dB數(shù)模轉(zhuǎn)換,4聲道24bit 101dB模數(shù)轉(zhuǎn)換,集成耳放,數(shù)字麥克風(fēng)接口,S/PDIF輸入輸出以及GPIO。
功能方面,EAX Advanced HD 5.0音效自然不會(huì)缺席,Sound Core3D還通過(guò)了Dolby Digital解碼認(rèn)證,支持CrystalVoice語(yǔ)音處理和THX TruStudio Pro音效。
此外,隨著其它封裝技術(shù)的提高,WideLead比標(biāo)準(zhǔn)TO-262封裝中的同等MOSFET少傳輸20%導(dǎo)通電阻。
Sound Core3D為單芯片56-pin QFP封裝,全新一代的“多核心音頻和語(yǔ)音處理器”Sound Core3D,主要賣(mài)點(diǎn)包括高品質(zhì)模擬音頻回放/錄制、低功耗、高集成度、低成本,針對(duì)主板集成HD Audio聲卡和消費(fèi)電子嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域。
Snapdragon芯片,為客戶(hù)提供最好的移動(dòng)處理、圖形和連接功能,以最低的功耗提供最高的性能。Snapdragon MSM8x60系列移動(dòng)處理器是針對(duì)最新多任務(wù)平板電腦和智能手機(jī)的領(lǐng)先解決方案,有兩個(gè)異步處理器內(nèi)核、性能2倍于前身產(chǎn)品的集成Adreno 220 GPU,并支持最高達(dá)1600萬(wàn)像素的攝像頭。
在標(biāo)準(zhǔn)TO-262通孔封裝中,除了MOSFET導(dǎo)通電阻,源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。
新WideLead TO-262通孔封裝可將引線電阻降至不到0.5mΩ,大大減少了引線中的傳導(dǎo)損耗和熱量,在特定的工作溫度下,比傳統(tǒng)的TO-262封裝的電流承載能力高30%,在直流電為40A和60A的條件下,WideLead引線溫度比標(biāo)準(zhǔn)TO-262分別低30%和39%。
Z系列芯片的型號(hào)是雙核Z-01,時(shí)鐘速度為1GHz。這款芯片的耗電量不到6瓦,將提供更長(zhǎng)的電池使用壽命。
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