OCT2224W功耗效率其它DSP產品提升3倍提供業(yè)內最佳能效比
發(fā)布時間:2023/11/11 23:50:40 訪問次數:79
下一代NVM(非易失性存儲器)技術是FeRAM、MRAM以及PCM，三者采用不同的材料、不同的狀態(tài)存儲機制和不同的感應技術。
FeRAM和MRAM是低存儲密度的NV SRAM，主要面向對存儲密度要求不大的應用市場。
PCM仍處于開發(fā)狀態(tài)，由于量產、性能和可靠性等問題還沒有商業(yè)化，將主要面向像DRAM和閃存這樣的更高密度應用市場。
高容量16Mb MRAM，這一競爭格局又發(fā)生了新的變化,進一步擠壓原有SRAM市場空間。
OCT2224W可為20MHz 2x2 BTS提供LTE PHY和MAC，且功耗僅有3瓦。
借助集成開發(fā)環(huán)境-Opus Studio,OCT2224W,包括24個可編程的高性能Opus2 DSP核心。
這種相同的構架有助于簡化應用分區(qū)，并且支持粗粒度并行化，同時它還具備高度可編程硬件加速器，不僅支持當前的蜂窩標準，而且還具備出色的靈活性以支持未來的修訂標準。
In-Sight Explorer軟件的新版本,除了支持新的In-Sight5605，In-Sight Explorer 4.4.1還增加了幾項新的主要功能和易于使用的改進功能，包括：
1DMax是一款針對全方位條形碼讀取進行優(yōu)化的一維條形碼讀取工具。Cognex 1DMax提供了行業(yè)最佳的讀取功能，可讀取由于損壞、模糊、反射和低對比度造成的讀取困難的代碼。
In-Sight5605可提供的分辨率是之前任何In-Sight系統(tǒng)的兩倍以上；有了更高的像素和GigE通信支持，In-Sight的高級視覺工具可以更快速且更準確地處理一些應用，如高準確度測量、查找極小的邊緣缺陷或從許多堆疊的產品中讀取ID代碼。
下一代NVM(非易失性存儲器)技術是FeRAM、MRAM以及PCM，三者采用不同的材料、不同的狀態(tài)存儲機制和不同的感應技術。
FeRAM和MRAM是低存儲密度的NV SRAM，主要面向對存儲密度要求不大的應用市場。
PCM仍處于開發(fā)狀態(tài)，由于量產、性能和可靠性等問題還沒有商業(yè)化，將主要面向像DRAM和閃存這樣的更高密度應用市場。
高容量16Mb MRAM，這一競爭格局又發(fā)生了新的變化,進一步擠壓原有SRAM市場空間。
OCT2224W可為20MHz 2x2 BTS提供LTE PHY和MAC，且功耗僅有3瓦。
借助集成開發(fā)環(huán)境-Opus Studio,OCT2224W,包括24個可編程的高性能Opus2 DSP核心。
這種相同的構架有助于簡化應用分區(qū)，并且支持粗粒度并行化，同時它還具備高度可編程硬件加速器，不僅支持當前的蜂窩標準，而且還具備出色的靈活性以支持未來的修訂標準。
In-Sight Explorer軟件的新版本,除了支持新的In-Sight5605，In-Sight Explorer 4.4.1還增加了幾項新的主要功能和易于使用的改進功能，包括：
1DMax是一款針對全方位條形碼讀取進行優(yōu)化的一維條形碼讀取工具。Cognex 1DMax提供了行業(yè)最佳的讀取功能，可讀取由于損壞、模糊、反射和低對比度造成的讀取困難的代碼。
In-Sight5605可提供的分辨率是之前任何In-Sight系統(tǒng)的兩倍以上；有了更高的像素和GigE通信支持，In-Sight的高級視覺工具可以更快速且更準確地處理一些應用，如高準確度測量、查找極小的邊緣缺陷或從許多堆疊的產品中讀取ID代碼。
相關技術資料- 7-4超低功耗角度位置傳感器參數技術封裝
- 7-4四路輸出 DC/DC 降壓電源模塊產品系列
- 7-4降壓變換器和升降壓變換器優(yōu)特點及區(qū)別
- 7-4業(yè)界首創(chuàng)可在線編程電源模塊 mEZ系列
- 7-4可編程門陣列 (FPGA)智能 電源解決方案
- 7-4高效先進封裝工藝MPS 電源模塊優(yōu)勢設計
- 7-31200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片應用詳情
- 7-3高帶寬內存（HBM）和芯片間互連（ICI）應用探究
- 7-3第七代TPU—Ironwood技術參數設計
- 7-3Neuralink新款“心靈感應”腦機接口N1芯片
- 7-3IR最新功率MOSFET的300V器件系列
- 7-3全新第4代SiC MOSFET技術平臺應用解釋
公網安備44030402000607
