一旦導(dǎo)通即使光源消失維持導(dǎo)通除非電壓消失或極性改變才能關(guān)斷
發(fā)布時間:2023/11/12 23:21:31 訪問次數(shù):78
門極觸發(fā)電流/G:是指在規(guī)定環(huán)境溫度和陽一陰極間為一定值電壓條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需的最小門極直流電流。
維持電流扣:是指維持晶間管導(dǎo)通的最小電流。當(dāng)正向電流小于fH時,導(dǎo)通的晶間管會自動關(guān)斷。
門極觸發(fā)電壓UG:是指在規(guī)定環(huán)境溫度和陽一陰極間為一定值的正向電壓條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需的最小門極直流電壓,一般為15V。門極反向電壓%:是指晶間管門極上所加的額定電壓,一般規(guī)定不得超過10V,以免損壞控制極。
根據(jù)電路用途和功能選擇相應(yīng)系列中相應(yīng)類別的芯片:其芯片的選擇要充分考慮到:扇入系數(shù)、功能單元的個數(shù)、扇出系數(shù)等,力求使電路達(dá)到最簡。
單晶數(shù)據(jù)顯示,分子的中心芳核存在大約5°的扭轉(zhuǎn)角,分子呈現(xiàn)略微錯開的面-面堆積模式,這些數(shù)據(jù)表明,將空間尺寸較小的氰基連接到中心芳核上,對分子堆積的影響不大,但是由于氰基的強(qiáng)吸電子作用,使材料表現(xiàn)出穩(wěn)定電子的能力。分析芳環(huán)二酰亞胺衍生物,可以得出兩種提高大氣環(huán)境下材料場效應(yīng)遷移率的設(shè)計策略。
例如:微弱信號檢測,高精度模擬計算,自動控制儀表,以及高精度穩(wěn)壓源等應(yīng)用場合,宜選用此類放大器。
反向峰值電壓uRRM:是指門極G,開路時,允許加在陽-陰極間的最大的反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓已銥減去100V后的電壓值。
當(dāng)給陽極A加正向電壓,給陰極Κ加負(fù)向電壓時,再用足夠強(qiáng)的光照射其受光窗口,晶間管即可導(dǎo)通。一旦導(dǎo)通,即使光源消失也能維持導(dǎo)通,除非電壓消失或極性改變,它才能關(guān)斷。光控二極管的觸發(fā)光源有激光器、激光二極管和發(fā)光二極管等。
深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com
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單晶數(shù)據(jù)顯示,分子的中心芳核存在大約5°的扭轉(zhuǎn)角,分子呈現(xiàn)略微錯開的面-面堆積模式,這些數(shù)據(jù)表明,將空間尺寸較小的氰基連接到中心芳核上,對分子堆積的影響不大,但是由于氰基的強(qiáng)吸電子作用,使材料表現(xiàn)出穩(wěn)定電子的能力。分析芳環(huán)二酰亞胺衍生物,可以得出兩種提高大氣環(huán)境下材料場效應(yīng)遷移率的設(shè)計策略。
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