IPv4向IPv6遷移面向第二層至第四層處理知識(shí)型處理器協(xié)議表項(xiàng)增加4倍
發(fā)布時(shí)間:2023/11/17 8:45:23 訪問(wèn)次數(shù):96
NLA12000系列KBP能很好地滿足這些新一代網(wǎng)絡(luò)的嚴(yán)格要求,并為用于路由器、交換機(jī)、業(yè)務(wù)網(wǎng)關(guān)、安全設(shè)備以及移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化。
托管式服務(wù)持續(xù)加速增長(zhǎng)以及軟件定義網(wǎng)絡(luò)(SDN)、OpenFlow等新趨勢(shì)的出現(xiàn),導(dǎo)致需要在網(wǎng)絡(luò)中增強(qiáng)分類、轉(zhuǎn)發(fā)及安全處理能力。此外,隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,路由協(xié)議正在從IPv4向IPv6遷移,因此面向第二層至第四層處理的知識(shí)型處理器的協(xié)議表項(xiàng)增加了4倍。
此外,硅統(tǒng)也正投入人力,積極研發(fā)in-cell的內(nèi)嵌式觸控芯片。
即使去掉SBD亦可實(shí)現(xiàn)與以往產(chǎn)品同等的開關(guān)特性。由于不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流,損耗可降低50%以上,有助于設(shè)備更加節(jié)能。
另外,達(dá)到了Si-IGBT無(wú)法達(dá)到的50kHz以上的開關(guān)頻率,因此,還可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。
一般Si-IGBT元件無(wú)法逆向?qū),而SiC-MOSFET可通過(guò)體二極管實(shí)現(xiàn)常時(shí)逆向?qū)。另外,通過(guò)輸入柵極信號(hào),還可實(shí)現(xiàn)MOSFET的逆向?qū),與二極管相比,可實(shí)現(xiàn)更低電阻。通過(guò)這些逆向?qū)ㄌ匦裕c二極管整流方式相比,可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術(shù)。

MSP430FR59xx微控制器樣片,該器件建立在其“Wolverine”技術(shù)平臺(tái)基礎(chǔ)之上。
這些基于FRAM的最新微控制器不僅在實(shí)時(shí)時(shí)鐘模式下的工作電流可低至360nA,工作功耗不足100uA/MHz,而且還支持6.5us的快速喚醒時(shí)間和高精度外設(shè)。
最低功耗DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器,與其它器件相比可將終端應(yīng)用可使用的采集能量提升達(dá)70%.
超低功耗電路可實(shí)現(xiàn)各種應(yīng)用的無(wú)電池供電,如無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)、監(jiān)控系統(tǒng)、煙霧探測(cè)器、可佩戴醫(yī)療設(shè)備以及移動(dòng)附件等。
深圳市裕碩科技有限公司http://yushuo.51dzw.com
NLA12000系列KBP能很好地滿足這些新一代網(wǎng)絡(luò)的嚴(yán)格要求,并為用于路由器、交換機(jī)、業(yè)務(wù)網(wǎng)關(guān)、安全設(shè)備以及移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化。
托管式服務(wù)持續(xù)加速增長(zhǎng)以及軟件定義網(wǎng)絡(luò)(SDN)、OpenFlow等新趨勢(shì)的出現(xiàn),導(dǎo)致需要在網(wǎng)絡(luò)中增強(qiáng)分類、轉(zhuǎn)發(fā)及安全處理能力。此外,隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,路由協(xié)議正在從IPv4向IPv6遷移,因此面向第二層至第四層處理的知識(shí)型處理器的協(xié)議表項(xiàng)增加了4倍。
此外,硅統(tǒng)也正投入人力,積極研發(fā)in-cell的內(nèi)嵌式觸控芯片。
即使去掉SBD亦可實(shí)現(xiàn)與以往產(chǎn)品同等的開關(guān)特性。由于不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流,損耗可降低50%以上,有助于設(shè)備更加節(jié)能。
另外,達(dá)到了Si-IGBT無(wú)法達(dá)到的50kHz以上的開關(guān)頻率,因此,還可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。
一般Si-IGBT元件無(wú)法逆向?qū)ǎ鳶iC-MOSFET可通過(guò)體二極管實(shí)現(xiàn)常時(shí)逆向?qū)。另外,通過(guò)輸入柵極信號(hào),還可實(shí)現(xiàn)MOSFET的逆向?qū),與二極管相比,可實(shí)現(xiàn)更低電阻。通過(guò)這些逆向?qū)ㄌ匦裕c二極管整流方式相比,可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術(shù)。

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這些基于FRAM的最新微控制器不僅在實(shí)時(shí)時(shí)鐘模式下的工作電流可低至360nA,工作功耗不足100uA/MHz,而且還支持6.5us的快速喚醒時(shí)間和高精度外設(shè)。
最低功耗DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器,與其它器件相比可將終端應(yīng)用可使用的采集能量提升達(dá)70%.
超低功耗電路可實(shí)現(xiàn)各種應(yīng)用的無(wú)電池供電,如無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)、監(jiān)控系統(tǒng)、煙霧探測(cè)器、可佩戴醫(yī)療設(shè)備以及移動(dòng)附件等。
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