SiGe BiCMOS技術(shù)可以使輸出功率不受信號(hào)頻率、分頻比、溫度及供給電壓變化的影響。

該分頻器的電壓供給是5v，有一個(gè)電源中斷引腳，輸入和輸出信號(hào)的隔離度為75dB，而且其輸出功率可調(diào)，輸出占空比是50%。

HMC794LP3E有工業(yè)級(jí)的噪聲性能和可選擇的分頻比，故非常適合用在時(shí)鐘及儀器、軟件無(wú)線電、多頻帶合成器上，產(chǎn)生本振信號(hào)。在快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，兩個(gè)HMC794LP3E組成的芯片選通組可以顯著提高信號(hào)源的隔離度。

突發(fā)模式(Burst Mode®)工作可將無(wú)負(fù)載情況下的靜態(tài)電流降至僅為75uA，從而在電池供電應(yīng)用中最大限度地提高了輕負(fù)載效率和運(yùn)行時(shí)間。

此外，可編程開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換率可以進(jìn)一步減輕潛在的噪聲問(wèn)題。

LTC3616還為跟蹤功能和DDR存儲(chǔ)器模式提供輸入，在這種模式中，器件可以提供/吸收±3A的電流。

其它特點(diǎn)包括可選的有源電壓定位 (Active Voltage Positioning)、電源良好(Power Good)電壓監(jiān)視器、外部同步功能和熱保護(hù)。

砷化鎵MMIC的混頻器HMC915LP4E,該混頻器采用4*4mm的QFN SMT封裝，與HITTITE另一款雙平衡混頻器HMC215LP4E（工作頻帶1.7到4.0GHz）管腳兼容。

HMC915LP4E可工作在0.5到2.7GHz，適合應(yīng)用在寬帶，LTE/4G，和測(cè)試設(shè)備中，既可以用做上變頻器也可以用做下變頻器。

可選擇預(yù)加重和可編程均衡電路可對(duì)長(zhǎng)距離傳輸?shù)男盘?hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)，大大提高了布局的靈活性。

在寬中頻情況下，既可用在高本振環(huán)境也可用在低本振環(huán)境，此時(shí)中頻可高達(dá)1GHz。

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