單位面積上導(dǎo)通阻抗方面改進(jìn)被單位面積門電荷(Qg)增加所抵消
發(fā)布時間:2023/11/23 21:42:00 訪問次數(shù):133
由于低壓FET中溝道阻抗(channel resistance)對特征導(dǎo)通阻抗有較大影響，業(yè)界主要致力于在可用面積上配置盡可能多的FET溝道。
平面溝道被垂直“溝槽門”溝道替代，同時使用先進(jìn)的光刻技術(shù)來縮小表面尺寸。減小溝槽FET間距的方法并不能輕松達(dá)到采用RDS(ON)xQg(d)定義的關(guān)鍵質(zhì)量因子，因為單位面積上的導(dǎo)通阻抗方面的改進(jìn)被單位面積門電荷(Qg)增加所抵消。
最重要的質(zhì)量因子(Figure of Merit, FOM)就是單位為mΩ x mm2的特征導(dǎo)通阻抗(RDS(ON)spec)。
RevoDrive 3系列基于OCZ自己開發(fā)的VCA 2.0控制架構(gòu)，支持TRIM、S.M.A.R.T.、AES加密，尤其是還能作為系統(tǒng)啟動盤使用。
RevoDrive 3 X2系列是OCZ PCI-E固態(tài)硬盤的最新力作，無論規(guī)格還是性能都達(dá)到了史無前例的水平，當(dāng)然價格也同樣如此。
單卡形式的RevoDrive 3則有兩顆主控制器，容量120/240/480GB三種，持續(xù)性能最高讀取1GB/s、寫入925MB/s，4KB隨機(jī)寫入130000 IOPS。
低成本、低導(dǎo)通阻抗驅(qū)動器的整合從傳統(tǒng)LDMOS器件轉(zhuǎn)向雙及三低表面電場(RESURF) DMOS、超結(jié)LDMOS及LIGBT。當(dāng)前功率半導(dǎo)體封裝的主要趨勢是增強(qiáng)互連，包括旨在降低阻抗/寄生效應(yīng)的晶圓級技術(shù)，以及增強(qiáng)型片上散熱。
用于AC-DC逆變器整合型600V晶體管技術(shù)與用于低于100V應(yīng)用技術(shù)相輔相成,被證明另一個重要市場。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鵬富�？萍加邢薰�
由于低壓FET中溝道阻抗(channel resistance)對特征導(dǎo)通阻抗有較大影響，業(yè)界主要致力于在可用面積上配置盡可能多的FET溝道。
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