3-D三柵極晶體管使芯片能夠在更低的電壓下運(yùn)行，并進(jìn)一步減少漏電量，與之前最先進(jìn)的晶體管相比，它能提供前所未有的更高性能和能效。

與之前的32納米平面晶體管相比，22納米3-D三柵極晶體管在低電壓下將性能提高了37%。這一驚人的改進(jìn)意味著它們將是小型手持設(shè)備的理想選擇，這種設(shè)備要求晶體管在運(yùn)行時(shí)只用較少的電力進(jìn)行“開關(guān)”操作。

全新的晶體管只需消耗不到一半的電量，就能達(dá)到與32納米芯片中2-D平面晶體管一樣的性能。

緊湊型的射頻診斷暗室R&S®DST200，讓移動(dòng)電話等無線設(shè)備的研發(fā)人員能在工作臺(tái)上實(shí)現(xiàn)射頻輻射測(cè)量。此臺(tái)式暗室模擬能近似自由空間的測(cè)試條件，設(shè)計(jì)者們無需再為等待大型EMC試驗(yàn)室而浪費(fèi)大量寶貴的時(shí)間和經(jīng)費(fèi)。

寬帶功率放大器R&S®BBA100：其緊湊,模塊化設(shè)計(jì)和高可靠性使其方便地應(yīng)用于各類產(chǎn)品EMS測(cè)試。

LCD觸摸屏界面可確保通過使用比傳統(tǒng)軟按鍵模式更少的按鍵次數(shù)來設(shè)置調(diào)制參數(shù)或掃頻信號(hào)，從而節(jié)省了工程師的操作時(shí)間并降低了錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn)。

這些能力讓芯片設(shè)計(jì)師可以根據(jù)應(yīng)用的需求靈活地選用低能耗或高性能晶體管。

相比前代產(chǎn)品，第八代產(chǎn)品的功率密度和能效分別提升了15%和5%（取決于具體應(yīng)用）。

采用體積小、性價(jià)比高的SOT502封裝尺寸,提供超過500W（P3dB）的峰值功率,可用作調(diào)峰晶體管。

更寬的視頻帶寬，支持全波段操作。

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