光耦缺點隨使用時間或者周圍環(huán)境溫度增加反饋特性有所變化
發(fā)布時間:2023/12/28 18:59:24 訪問次數(shù):207
先進的熱折返保護特性可以防止驅(qū)動器出現(xiàn)溫度過高的情況,且在任何高溫環(huán)境及工作條件下仍能在保證溫升的情況下提供照明。
傳統(tǒng)反激式開關(guān)電源中都會配置光耦進行隔離,但是光耦的缺點是隨著使用時間或者周圍環(huán)境溫度的增加反饋特性有所變化,從而影響整個驅(qū)動器的輸出特性,造成其可靠性及工作壽命的下降。
LYTSwitch-6選擇了在兩側(cè)的芯片PIN腳上放置線圈,采用磁感耦合的方式進行信號傳輸。這樣不僅能夠保證精確的穩(wěn)壓或恒流控制,且其反饋效果不受電源工作溫度及使用壽命的影響。
當僅測量阻抗中的某一類參數(shù)(例如,電阻、電容或者電感)時,可以簡化測量步驟。利用方波激勵信號取代正弦信號可以達到簡化的目的。
正弦信號阻抗測量系統(tǒng)可以在單次測量中同時獲得信號的實部和虛部。
當僅測量阻抗中的某一類參數(shù)(例如,電阻、電容或者電感)時,可以簡化測量步驟。利用方波激勵信號取代正弦信號可以達到簡化的目的。 在最近的幾十年中,利用方波激勵信號甚至僅用簡單的電子器件,單一傳感器元素的測量精度可以非常高。
激光微調(diào)是在封裝之前進行的,這意味著任何因為封裝而引起的誤差不能通過激光微調(diào)糾正。在封裝之后應(yīng)用的一項微調(diào)技術(shù)是多晶硅電阻器,依靠通過它們的電流脈沖值進行調(diào)節(jié)。
通過這些脈沖引起局部加熱而導(dǎo)致電阻值的減少是永久性的,因此在應(yīng)用中使用了一個永久調(diào)整電阻的電路傳遞函數(shù)。
這種情況下晶圓級并行處理模式的成本效益消失,這種方法可以糾正包括封裝導(dǎo)致偏移在內(nèi)的個體誤差。適宜匹配的非易失性存儲器技術(shù)的范圍被限制于那些不需要直接進入芯片的情況。
先進的熱折返保護特性可以防止驅(qū)動器出現(xiàn)溫度過高的情況,且在任何高溫環(huán)境及工作條件下仍能在保證溫升的情況下提供照明。
傳統(tǒng)反激式開關(guān)電源中都會配置光耦進行隔離,但是光耦的缺點是隨著使用時間或者周圍環(huán)境溫度的增加反饋特性有所變化,從而影響整個驅(qū)動器的輸出特性,造成其可靠性及工作壽命的下降。
LYTSwitch-6選擇了在兩側(cè)的芯片PIN腳上放置線圈,采用磁感耦合的方式進行信號傳輸。這樣不僅能夠保證精確的穩(wěn)壓或恒流控制,且其反饋效果不受電源工作溫度及使用壽命的影響。
當僅測量阻抗中的某一類參數(shù)(例如,電阻、電容或者電感)時,可以簡化測量步驟。利用方波激勵信號取代正弦信號可以達到簡化的目的。
正弦信號阻抗測量系統(tǒng)可以在單次測量中同時獲得信號的實部和虛部。
當僅測量阻抗中的某一類參數(shù)(例如,電阻、電容或者電感)時,可以簡化測量步驟。利用方波激勵信號取代正弦信號可以達到簡化的目的。 在最近的幾十年中,利用方波激勵信號甚至僅用簡單的電子器件,單一傳感器元素的測量精度可以非常高。
激光微調(diào)是在封裝之前進行的,這意味著任何因為封裝而引起的誤差不能通過激光微調(diào)糾正。在封裝之后應(yīng)用的一項微調(diào)技術(shù)是多晶硅電阻器,依靠通過它們的電流脈沖值進行調(diào)節(jié)。
通過這些脈沖引起局部加熱而導(dǎo)致電阻值的減少是永久性的,因此在應(yīng)用中使用了一個永久調(diào)整電阻的電路傳遞函數(shù)。
這種情況下晶圓級并行處理模式的成本效益消失,這種方法可以糾正包括封裝導(dǎo)致偏移在內(nèi)的個體誤差。適宜匹配的非易失性存儲器技術(shù)的范圍被限制于那些不需要直接進入芯片的情況。
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