通過(guò)先進(jìn)半導(dǎo)體器件及控制算法將PSFB拓?fù)湓O(shè)計(jì)效率達(dá)到全新水平
發(fā)布時(shí)間:2024/1/11 13:22:39 訪問(wèn)次數(shù):171
隨著太陽(yáng)能的應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大,業(yè)內(nèi)迫切需要更高效率的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提升太陽(yáng)能系統(tǒng)的性能。對(duì)此,Infineon XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™ MOSFET推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋(PSFB)方案,其通過(guò)先進(jìn)的半導(dǎo)體器件及控制算法將PSFB拓?fù)湓O(shè)計(jì)的效率達(dá)到了全新水平。
在固定式電感器中,通常還會(huì)采用色標(biāo)法進(jìn)行標(biāo)注,該方法是指將電感器的參數(shù)用不同顏色的色帶或色點(diǎn)標(biāo)志在電感器表面上,不同的顏色代表的含義也不相同。
吸收電容串聯(lián)二極管寄生電容與漏感在正常工作中存在振蕩,可以通過(guò)減小吸收電容可以改善這一點(diǎn)。
醫(yī)療儀器使用外置式AC/DC電源的問(wèn)題,并回顧相關(guān)的監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)計(jì)者可利用這些產(chǎn)品滿足各種監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)還可利用氮化鎵(GaN)功率器件將電源的實(shí)際尺寸縮小近一半。
電源設(shè)計(jì)的基本要求選擇 AC/DC電源時(shí),首先要考慮標(biāo)準(zhǔn)的電源性能指標(biāo)。電源必須提供標(biāo)稱 DC 電壓,并能在該電壓下提供支持負(fù)載所需的額定電流。通用電源必須能適應(yīng)頻率為47Hz至63Hz的各種AC輸入電壓(通常為85VAC至264VAC)。
雖然輸入和輸出電壓及額定電流至關(guān)重要,但不足以完全定義一個(gè)電源。

根據(jù)測(cè)試的波形可以看出,同步整流MOS管開(kāi)通1.2uS后便關(guān)斷,這與IC的規(guī)格書和實(shí)際測(cè)量值中的空白導(dǎo)通時(shí)間(1.25us)相吻合。
測(cè)量顯示其在最小導(dǎo)通時(shí)間過(guò)后就關(guān)閉驅(qū)動(dòng),由此判斷是觸發(fā)了同步整流MOS 的關(guān)斷條件。(這里同時(shí)測(cè)量SR采樣腳波形以及驅(qū)動(dòng)波)
從測(cè)量結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),在空白導(dǎo)通時(shí)間內(nèi),SR采樣腳處電壓始終在振蕩,在1.2us結(jié)束時(shí),依然有高頻的振蕩波峰幅值。在查詢規(guī)格書后得知,采樣腳在小于3mV時(shí)會(huì)迫使芯片驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。

隨著太陽(yáng)能的應(yīng)用范圍進(jìn)一步擴(kuò)大,業(yè)內(nèi)迫切需要更高效率的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提升太陽(yáng)能系統(tǒng)的性能。對(duì)此,Infineon XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™ MOSFET推出3.3KW高功率密度雙向相移全橋(PSFB)方案,其通過(guò)先進(jìn)的半導(dǎo)體器件及控制算法將PSFB拓?fù)湓O(shè)計(jì)的效率達(dá)到了全新水平。
在固定式電感器中,通常還會(huì)采用色標(biāo)法進(jìn)行標(biāo)注,該方法是指將電感器的參數(shù)用不同顏色的色帶或色點(diǎn)標(biāo)志在電感器表面上,不同的顏色代表的含義也不相同。
吸收電容串聯(lián)二極管寄生電容與漏感在正常工作中存在振蕩,可以通過(guò)減小吸收電容可以改善這一點(diǎn)。
醫(yī)療儀器使用外置式AC/DC電源的問(wèn)題,并回顧相關(guān)的監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)計(jì)者可利用這些產(chǎn)品滿足各種監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)還可利用氮化鎵(GaN)功率器件將電源的實(shí)際尺寸縮小近一半。
電源設(shè)計(jì)的基本要求選擇 AC/DC電源時(shí),首先要考慮標(biāo)準(zhǔn)的電源性能指標(biāo)。電源必須提供標(biāo)稱 DC 電壓,并能在該電壓下提供支持負(fù)載所需的額定電流。通用電源必須能適應(yīng)頻率為47Hz至63Hz的各種AC輸入電壓(通常為85VAC至264VAC)。
雖然輸入和輸出電壓及額定電流至關(guān)重要,但不足以完全定義一個(gè)電源。

根據(jù)測(cè)試的波形可以看出,同步整流MOS管開(kāi)通1.2uS后便關(guān)斷,這與IC的規(guī)格書和實(shí)際測(cè)量值中的空白導(dǎo)通時(shí)間(1.25us)相吻合。
測(cè)量顯示其在最小導(dǎo)通時(shí)間過(guò)后就關(guān)閉驅(qū)動(dòng),由此判斷是觸發(fā)了同步整流MOS 的關(guān)斷條件。(這里同時(shí)測(cè)量SR采樣腳波形以及驅(qū)動(dòng)波)
從測(cè)量結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),在空白導(dǎo)通時(shí)間內(nèi),SR采樣腳處電壓始終在振蕩,在1.2us結(jié)束時(shí),依然有高頻的振蕩波峰幅值。在查詢規(guī)格書后得知,采樣腳在小于3mV時(shí)會(huì)迫使芯片驅(qū)動(dòng)關(guān)閉。

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