同時(shí)兼具運(yùn)算、儲(chǔ)存能力的下世代存儲(chǔ)器，如磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)、電阻式存儲(chǔ)器(RRAM)、3D XPoint技術(shù)與高潛力的自旋電子磁性存儲(chǔ)器(STT-MRAM)等，就成為下世代存儲(chǔ)器技術(shù)的新寵兒。

傳感器芯片具備先進(jìn)的保護(hù)機(jī)制，可防止過(guò)電壓（高于+40V）和反向電壓（低于-40V），十分適合大型車輛應(yīng)用。MLX90830是按照ISO26262標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)的獨(dú)立安全單元（SEooC），支持ASIL B級(jí)系統(tǒng)集成，以確保滿足最新的電動(dòng)汽車安全需求。

基于Triphibian™技術(shù)且經(jīng)過(guò)Melexis精確出廠校準(zhǔn)的微型化MEMS壓力敏感元件，可實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)集中化，既縮小系統(tǒng)尺寸，又提高可靠性。

將MLX90830設(shè)計(jì)到獨(dú)立的壓力傳感器中，也可將其輕松嵌入到系統(tǒng)中。

借助Triphibian™技術(shù)，MEMS傳感器芯片能夠提高可測(cè)量的壓力等級(jí)，并擴(kuò)展適用的介質(zhì)類型。Melexis破解了此前無(wú)法通過(guò)MEMS技術(shù)解決的難題，現(xiàn)在我們可以通過(guò)測(cè)定液體介質(zhì)的壓力，為汽車行業(yè)及其他領(lǐng)域應(yīng)用打開(kāi)新的可能。

人工智能、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與更多的資料收集與傳感需求，下世代的存儲(chǔ)器技術(shù)首先將著眼于以新應(yīng)用的需求為主，如臺(tái)積電鎖定的嵌入式存儲(chǔ)器，并充分發(fā)揮運(yùn)算與儲(chǔ)存二合一的優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步微縮大小，達(dá)到元件更高的市場(chǎng)滲透率。

移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的資料儲(chǔ)存與存儲(chǔ)器技術(shù)需求日益增加。

目前的存儲(chǔ)器技術(shù)以DRAM與NAND快閃存儲(chǔ)器為主流，但DRAM的讀寫速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存資料;NAND Flash能保存資料，但讀寫速度不佳。