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延長電池的待機(jī)時(shí)間選擇一款超低功耗的處理器和射頻芯片

發(fā)布時(shí)間:2024/1/23 23:14:52 訪問次數(shù):77



無刷直流電動機(jī)內(nèi)的霍爾元件,無刷電動機(jī)的工作原理,無刷直流電動機(jī)定子繞組必須根據(jù)轉(zhuǎn)子的磁極方位切換其中的電流方向,才能使轉(zhuǎn)子連續(xù)旋轉(zhuǎn),因此在無刷直流電動機(jī)內(nèi)必須設(shè)置一個(gè)轉(zhuǎn)子磁極位置的傳感器,這種傳感器通常采用霍爾元件,為典型霍爾元件的工作原理。

典型霍爾元件的工作原理,霍爾元件安裝在無刷直流電動機(jī)靠近轉(zhuǎn)子磁極的位置,輸出端分別加到兩個(gè)晶體三極管的基極,用于輸出極性相反的電壓,控制晶體三極管導(dǎo)通與截止,從而控制繞組中的電流,使其繞組產(chǎn)生磁場,吸引轉(zhuǎn)子連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。

電子墨水屏是主要由CPU處理器,射頻芯片和墨水顯示屏這三個(gè)部分組成。在休眠狀態(tài)下,墨水顯示屏的電源是被關(guān)閉的,因此此時(shí)的系統(tǒng)耗電只有兩個(gè)部分,分別是CPU處理器和射頻芯片。為了盡可能延長電池的待機(jī)時(shí)間,就需要選擇一款超低功耗的處理器和射頻芯片。


單芯片半橋技術(shù),設(shè)計(jì)有突破性尺寸和效率的下一代適配器和充電器。我們早前宣布的AllGaN平臺的JEDEC認(rèn)證說明了氮化鎵(GaN)功率管已經(jīng)成熟和可以量產(chǎn)。


上行傳輸(無線從站節(jié)點(diǎn)向無線基站傳輸數(shù)據(jù))需要240K bps速率,在5Km范圍內(nèi)提供240K bps速率,還要考慮項(xiàng)目預(yù)算,就有一定的技術(shù)難度。

LoRa技術(shù),無線通信距離可以做到5Km,但是只能提供0.3k bps 碼流,遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到240K的帶寬,不能滿足用戶高速率、遠(yuǎn)距離、實(shí)時(shí)傳輸?shù)男枨蟆5谝粋(gè)半橋氮化鎵(GaN)功率IC產(chǎn)品是650V的NV6250,采用6x8mm QFN封裝,具有上下管驅(qū)動器,電平轉(zhuǎn)換器,兩個(gè)560mohm功率FET,自舉電路和多種保護(hù)功能。




DSPIC33EP512MU810T-I/BG



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典型霍爾元件的工作原理,霍爾元件安裝在無刷直流電動機(jī)靠近轉(zhuǎn)子磁極的位置,輸出端分別加到兩個(gè)晶體三極管的基極,用于輸出極性相反的電壓,控制晶體三極管導(dǎo)通與截止,從而控制繞組中的電流,使其繞組產(chǎn)生磁場,吸引轉(zhuǎn)子連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)。

電子墨水屏是主要由CPU處理器,射頻芯片和墨水顯示屏這三個(gè)部分組成。在休眠狀態(tài)下,墨水顯示屏的電源是被關(guān)閉的,因此此時(shí)的系統(tǒng)耗電只有兩個(gè)部分,分別是CPU處理器和射頻芯片。為了盡可能延長電池的待機(jī)時(shí)間,就需要選擇一款超低功耗的處理器和射頻芯片。


單芯片半橋技術(shù),設(shè)計(jì)有突破性尺寸和效率的下一代適配器和充電器。我們早前宣布的AllGaN平臺的JEDEC認(rèn)證說明了氮化鎵(GaN)功率管已經(jīng)成熟和可以量產(chǎn)。


上行傳輸(無線從站節(jié)點(diǎn)向無線基站傳輸數(shù)據(jù))需要240K bps速率,在5Km范圍內(nèi)提供240K bps速率,還要考慮項(xiàng)目預(yù)算,就有一定的技術(shù)難度。

LoRa技術(shù),無線通信距離可以做到5Km,但是只能提供0.3k bps 碼流,遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到240K的帶寬,不能滿足用戶高速率、遠(yuǎn)距離、實(shí)時(shí)傳輸?shù)男枨。第一個(gè)半橋氮化鎵(GaN)功率IC產(chǎn)品是650V的NV6250,采用6x8mm QFN封裝,具有上下管驅(qū)動器,電平轉(zhuǎn)換器,兩個(gè)560mohm功率FET,自舉電路和多種保護(hù)功能。




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