在不犧牲設(shè)備總效率的情況下變壓器電感實(shí)現(xiàn)超快的瞬態(tài)響應(yīng)
發(fā)布時(shí)間:2024/1/24 13:15:24 訪問次數(shù):107
多個(gè)電壓調(diào)節(jié)器給芯片或子電路供電。由于這些電源軌之間的電壓容差常常很小(<1%),因此功率完整性的測(cè)量,如在全帶寬內(nèi)測(cè)量紋波電壓,成為滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的關(guān)鍵。
因此,簡(jiǎn)化后的輸出功率級(jí)電路。高頻(HF)噪聲主要由電感寄生電容(CL)和等效串聯(lián)電感(ESL)引起的開關(guān)耦合的高dV/dt引起。
多相解決方案通過采用一顆變壓器電感實(shí)現(xiàn)超快的瞬態(tài)響應(yīng),可以在不犧牲設(shè)備總效率的情況下,滿足安培和帶寬方面的負(fù)載需求.
VTM48EH040T025B00能夠利用因數(shù)分解開關(guān)電源框架,通過調(diào)整轉(zhuǎn)換和配電損耗同時(shí)促進(jìn)高密度負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換,提供效率和規(guī)格優(yōu)勢(shì)。
各芯片電源引腳的電壓是否正常,其次檢查各種參考電壓是否正常,另外還有各點(diǎn)工作電壓是否正常等。
特征40Vdc至3.3Vdc25A電流倍增器-使用規(guī)范48V或24VPRM模塊使用高效率(>93%)能降低系統(tǒng)功能損耗高密度(167A/in3)“Half-Chip”VIChip®封裝實(shí)現(xiàn)與系統(tǒng)板的表面貼裝,低阻抗互連包含內(nèi)置保護(hù)裝置。
單一、單色的顯示屏?xí)r代已一去不復(fù)返。當(dāng)今,即便是主流和入門級(jí)移動(dòng)設(shè)備也需要支持豐富的多層用戶界面和眾多最新的應(yīng)用程序及技術(shù)。
在許多情況下,Int8效果相當(dāng),且效率更高。Mali-G52每個(gè)執(zhí)行引擎的處理能力達(dá)到四個(gè)周期每線程,在當(dāng)前圖像檢測(cè)和其他機(jī)器學(xué)習(xí)基準(zhǔn)測(cè)試中達(dá)到了上一代處理器機(jī)器學(xué)習(xí)性能近4倍的出色表現(xiàn)。
多個(gè)電壓調(diào)節(jié)器給芯片或子電路供電。由于這些電源軌之間的電壓容差常常很。ǎ1%),因此功率完整性的測(cè)量,如在全帶寬內(nèi)測(cè)量紋波電壓,成為滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的關(guān)鍵。
因此,簡(jiǎn)化后的輸出功率級(jí)電路。高頻(HF)噪聲主要由電感寄生電容(CL)和等效串聯(lián)電感(ESL)引起的開關(guān)耦合的高dV/dt引起。
多相解決方案通過采用一顆變壓器電感實(shí)現(xiàn)超快的瞬態(tài)響應(yīng),可以在不犧牲設(shè)備總效率的情況下,滿足安培和帶寬方面的負(fù)載需求.
VTM48EH040T025B00能夠利用因數(shù)分解開關(guān)電源框架,通過調(diào)整轉(zhuǎn)換和配電損耗同時(shí)促進(jìn)高密度負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換,提供效率和規(guī)格優(yōu)勢(shì)。
各芯片電源引腳的電壓是否正常,其次檢查各種參考電壓是否正常,另外還有各點(diǎn)工作電壓是否正常等。
特征40Vdc至3.3Vdc25A電流倍增器-使用規(guī)范48V或24VPRM模塊使用高效率(>93%)能降低系統(tǒng)功能損耗高密度(167A/in3)“Half-Chip”VIChip®封裝實(shí)現(xiàn)與系統(tǒng)板的表面貼裝,低阻抗互連包含內(nèi)置保護(hù)裝置。
單一、單色的顯示屏?xí)r代已一去不復(fù)返。當(dāng)今,即便是主流和入門級(jí)移動(dòng)設(shè)備也需要支持豐富的多層用戶界面和眾多最新的應(yīng)用程序及技術(shù)。
在許多情況下,Int8效果相當(dāng),且效率更高。Mali-G52每個(gè)執(zhí)行引擎的處理能力達(dá)到四個(gè)周期每線程,在當(dāng)前圖像檢測(cè)和其他機(jī)器學(xué)習(xí)基準(zhǔn)測(cè)試中達(dá)到了上一代處理器機(jī)器學(xué)習(xí)性能近4倍的出色表現(xiàn)。
熱門點(diǎn)擊
- 數(shù)兆歐姆從高速度到超低功耗應(yīng)用要求低噪聲譜密
- 工業(yè)應(yīng)用長距離CAN節(jié)點(diǎn)互連將數(shù)字協(xié)議信息轉(zhuǎn)
- DC-DC轉(zhuǎn)換器能夠維持初始0.5%甚至更高
- 兩片金屬箔做電極夾在極薄滌綸介質(zhì)中卷成扁柱形
- RSENSE檢流電阻無需使用較大分立式元件簡(jiǎn)
- 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲PolySwitch在每個(gè)輸出端
- 正負(fù)極雙極型薄片首個(gè)雙極型薄片發(fā)電效率為原來
- LPDDR4接口支持3.2GB/秒的速度運(yùn)行
- 邏輯電平由電源Vcc1決定而輸出高電平則由V
- 在欠壓時(shí)強(qiáng)制將SW端拉到地電位以實(shí)現(xiàn)對(duì)自舉電
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
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