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LPDDR4接口支持3.2GB/秒的速度運(yùn)行并且采用多路架構(gòu)

發(fā)布時(shí)間:2024/1/3 18:47:30 訪問次數(shù):186


下一代汽車更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜,并對安全性和可靠性提出了更高需求,而這需要依托采用先進(jìn)制造工藝開發(fā)的先進(jìn)多核處理器來實(shí)現(xiàn)。

在這些高級節(jié)點(diǎn)上,高密度的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器不再是可行的成本選擇,系統(tǒng)架構(gòu)師需要考慮使用外部NOR進(jìn)行代碼存儲(chǔ)。

這些復(fù)雜的汽車實(shí)時(shí)處理器需要比市場上現(xiàn)有存儲(chǔ)器更高性能.為了滿足這一需求,開發(fā)了SEMPER X1,其LPDDR4接口支持3.2GB/秒的速度運(yùn)行,并且采用多路架構(gòu),可滿足域和區(qū)域控制器的性能和密度要求。

FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。

FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性,其中擦寫壽命大于400萬次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間大于200年,產(chǎn)品性能及可靠性達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平,應(yīng)用于CCM、白電、工控、儀表、醫(yī)療、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。

其中FM24C/FM25系列車規(guī)產(chǎn)品已通過AEC-Q100 Grade 1車規(guī)級驗(yàn)證。

CXL 1.1的CXL DRAM(內(nèi)存擴(kuò)展器)后,又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。


CXL 2.0是三星有史以來第一個(gè)支持內(nèi)存池(Pooling)的產(chǎn)品。

內(nèi)存池是一種內(nèi)存管理技術(shù),它將服務(wù)器平臺上的多個(gè)CXL內(nèi)存塊綁定在一起,形成一個(gè)內(nèi)存池,使多個(gè)主機(jī)能夠根據(jù)需要從池中動(dòng)態(tài)分配內(nèi)存。

這項(xiàng)新技術(shù)使客戶盡可能的降本增效,從而幫助企業(yè)將有限的資源重新投資于增強(qiáng)服務(wù)器內(nèi)存中去。


KSZ8895MQXIA


下一代汽車更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜,并對安全性和可靠性提出了更高需求,而這需要依托采用先進(jìn)制造工藝開發(fā)的先進(jìn)多核處理器來實(shí)現(xiàn)。

在這些高級節(jié)點(diǎn)上,高密度的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器不再是可行的成本選擇,系統(tǒng)架構(gòu)師需要考慮使用外部NOR進(jìn)行代碼存儲(chǔ)。

這些復(fù)雜的汽車實(shí)時(shí)處理器需要比市場上現(xiàn)有存儲(chǔ)器更高性能.為了滿足這一需求,開發(fā)了SEMPER X1,其LPDDR4接口支持3.2GB/秒的速度運(yùn)行,并且采用多路架構(gòu),可滿足域和區(qū)域控制器的性能和密度要求。

FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿足6萬次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。

FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性,其中擦寫壽命大于400萬次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間大于200年,產(chǎn)品性能及可靠性達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平,應(yīng)用于CCM、白電、工控、儀表、醫(yī)療、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。

其中FM24C/FM25系列車規(guī)產(chǎn)品已通過AEC-Q100 Grade 1車規(guī)級驗(yàn)證。

CXL 1.1的CXL DRAM(內(nèi)存擴(kuò)展器)后,又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高達(dá)每秒35GB的帶寬。


CXL 2.0是三星有史以來第一個(gè)支持內(nèi)存池(Pooling)的產(chǎn)品。

內(nèi)存池是一種內(nèi)存管理技術(shù),它將服務(wù)器平臺上的多個(gè)CXL內(nèi)存塊綁定在一起,形成一個(gè)內(nèi)存池,使多個(gè)主機(jī)能夠根據(jù)需要從池中動(dòng)態(tài)分配內(nèi)存。

這項(xiàng)新技術(shù)使客戶盡可能的降本增效,從而幫助企業(yè)將有限的資源重新投資于增強(qiáng)服務(wù)器內(nèi)存中去。


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