E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻RDS(on)最低為9.4mΩ。全新的高效率SiC模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。

模塊可以取代多達四個分立式SiC FET，從而簡化熱機械設(shè)計和裝配。我們的共源共柵技術(shù)還支持以更高的開關(guān)頻率運行,通過使用更小的外部元件進一步縮小解決方案的尺寸。

這些模塊的高效率特性可以簡化電源設(shè)計流程，讓我們的客戶能夠?qū)Ｗ⒆龊脝我荒K的設(shè)計、布局、組裝、特性分析和認證，無需應(yīng)對多個分立式元件。

以9.4mΩ導(dǎo)通電阻的UHB100SC12E1BC3N為代表的這四款SiC模塊均采用Qorvo獨特的共源共柵配置，最大限度地降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優(yōu)勢在軟開關(guān)應(yīng)用中尤為顯著。另外，銀燒結(jié)芯片貼裝將熱阻降至0.23°C/W；

與帶“SC”的產(chǎn)品型號中的疊層芯片結(jié)構(gòu)相結(jié)合，其功率循環(huán)性能比市場同類SiC電源模塊高出2倍。

得益于以上特性，這些高度集成的 SiC 電源模塊不僅易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。

RZ/V2H配備新一代專有AI加速器DRP-AI3（動態(tài)可配置處理器-AI3），可帶來10TOPS/W的能效，相比早期型號提高可達10倍之多。

此外，DRP-AI3加速器采用的剪枝技術(shù)顯著增強了AI計算效率，將AI推理性能提升至80TOPS。這種性能提升使工程師能夠直接在邊緣AI設(shè)備上處理視覺AI應(yīng)用，而無需依賴云計算平臺。