SiZF4800LDT低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為131mW*nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關(guān)應(yīng)用的效率。

器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，熱阻比競(jìng)品MOSFET低54%。SiZF4800LDT導(dǎo)通電阻和熱阻低，連續(xù)漏電流達(dá)36A，比接近的競(jìng)品器件高38%。 

MOSFET獨(dú)特的引腳配置有助于簡(jiǎn)化PCB布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過100% Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

Silicon Labs的EFM8BB系列采用流水線式CIP-51內(nèi)核，可完全兼容標(biāo)準(zhǔn)8051指令集，最高支持50MHz的速度，2-64kB的閃存空間，0.5K-4KB SRAM，12位模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)，靈活的低功耗比較器，功能強(qiáng)大的PWM輸出，豐富的數(shù)據(jù)接口(UART，SPI，I2C)，支持Bootloader。封裝為QSOP24、SOIC16、QFN20。

PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。器件為設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級(jí)，適用領(lǐng)域包括無線電基站、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、焊接設(shè)備和電動(dòng)工具。這些應(yīng)用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時(shí)4.5V下邏輯電平導(dǎo)通簡(jiǎn)化電路驅(qū)動(dòng)。

為提高功率密度，該MOSFET在4.5V條件下導(dǎo)通電阻典型值降至18.5mW，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。比相同封裝尺寸最接近的競(jìng)品器件低16%。

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