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設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意可提供瞬間短路電流的大小

發(fā)布時(shí)間:2024/3/15 13:33:22 訪問(wèn)次數(shù):113

當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be只有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實(shí)際最終加載gate上的電壓只有4.3V,這時(shí)候,我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。

輸入電壓并不是一個(gè)固定值,它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。

在這種情況下,當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓,就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。

在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS、GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,因?yàn)殡娙莩潆娝查g可以把電容看成短路,所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。


4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓,設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)通電阻也越小。

現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域,但在12V汽車(chē)電子系統(tǒng)里,一般4V導(dǎo)通就夠用了。

普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同,所以這是柵極電壓要比Vcc大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比Vcc大的電壓,就要專門(mén)的升壓電路了。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。

很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。

安徽紐本科技有限公司http://fjbg.51dzw.com

當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be只有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實(shí)際最終加載gate上的電壓只有4.3V,這時(shí)候,我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。

輸入電壓并不是一個(gè)固定值,它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。

在這種情況下,當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓,就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。

在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS、GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。對(duì)電容的充電需要一個(gè)電流,因?yàn)殡娙莩潆娝查g可以把電容看成短路,所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。


4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓,設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)通電阻也越小。

現(xiàn)在也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不同的領(lǐng)域,但在12V汽車(chē)電子系統(tǒng)里,一般4V導(dǎo)通就夠用了。

普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同,所以這是柵極電壓要比Vcc大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比Vcc大的電壓,就要專門(mén)的升壓電路了。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全,很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。

很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。

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